Что такое легирование полупроводников

Легирование

Леги́рование (нем. legieren — «сплавлять», от лат. ligare — «связывать») — добавление в состав материалов примесей для изменения (улучшения) физических и химических свойств основного материала. Легирование является обобщающим понятием ряда технологических процедур, различают объёмное (металлургическое) и поверхностное (ионное, диффузное и др.) легирование.

В разных отраслях применяются разные технологии легирования.

В металлургии легирование производится в основном введением в расплав или шихту дополнительных химических элементов (например, в сталь — хрома, никеля, молибдена), улучшающих механические, физические и химические свойства сплава. Для изменения различных свойств (повышения твёрдости, износостойкости, коррозионной стойкости и т. д.) приповерхностного слоя металлов и сплавов применяются также и разные виды поверхностного легирования. Легирование проводится на различных этапах получения металлического материала с целями повышения качества металлургической продукции и металлических изделий.

При изготовлении специальных видов стекла и керамики часто производится поверхностное легирование. В отличие от напыления и других видов покрытия, добавляемые вещества диффундируют в легируемый материал, становясь частью его структуры.

При изготовлении полупроводниковых приборов под легированием понимается внесение небольших количеств примесей или структурных дефектов с целью контролируемого изменения электрических свойств полупроводника, в частности, его типа проводимости.

Содержание

Легирование полупроводников

При производстве полупроводниковых приборов легирование является одним из важнейших технологических процессов (наряду с травлением и осаждением).

Цели легирования

Основная цель — изменить тип проводимости и концентрацию носителей в объёме полупроводника для получения заданных свойств (проводимости, получения требуемой плавности pn-перехода). Самыми распространёнными легирующими примесями для кремния являются фосфор Р и мышьяк As (позволяют получить n-тип проводимости) и бор В (p-тип).

Способы легирования

В настоящее время технологически легирование производится тремя способами: ионная имплантация, нейтронно-трансмутационное легирование (НТЛ) и термодиффузия.

Ионная имплантация

Ионная имплантация позволяет контролировать параметры приборов более точно, чем термодиффузия, и получать более резкие pn-переходы. Технологически проходит в несколько этапов:

Ионная имплантация контролируется следующими параметрами:

Нейтронно-трансмутационное легирование

Когда облучаемым веществом является кремний, под воздействием потока тепловых нейтронов из изотопа кремния 30 Si образуется радиоактивный изотоп 31 Si, который затем распадается с образованием стабильного изотопа фосфора 31 P. Образующийся 31 P создаёт проводимость n-типа.

Термодиффузия

Термодиффузия содержит следующие этапы:

Легирование в металлургии

История

Легирование стало целенаправленно применяться сравнительно недавно. Отчасти это было связано с технологическими трудностями. Легирующие добавки просто выгорали при использовании традиционной технологии получения стали. Поэтому для получения дамасской (булатной) стали использовали достаточно сложную по тем временам технологию.

По-видимому, первым удачным использованием целенаправленного легирования можно считать изобретение в 1858 г. Мюшеттом стали, содержащей 1,85 % углерода, 9 % вольфрама и 2,5 % марганца. Сталь предназначалась для изготовления резцов металлообрабатывающих станков и явилась прообразом современной линейки быстрорежущих сталей. Промышленное производство этих сталей началось в 1871 г.

Влияние легирующих элементов

Для улучшения физических, химических, прочностных и технологических свойств металлы легируют, вводя в их состав различные легирующие элементы. Для легирования сталей используются хром, марганец, никель, вольфрам, ванадий, ниобий, титан и другие элементы. Небольшие добавки кадмия в медь увеличивают износостойкость проводов, добавки цинка в медь и бронзу — повышают прочность, пластичность, коррозионную стойкость. Легирование титана молибденом более чем вдвое повышает температурный предел эксплуатации титанового сплава благодаря изменению кристаллической структуры металла. [6] Легированные металлы могут содержать один или несколько легирующих элементов, которые придают им специальные свойства.

Марганец и кремний вводятся в процессе выплавки стали для раскисления, они являются технологическими примесями. Марганец вводят в сталь до 2 %. Он распределяется между ферритом и цементитом. Марганец заметно повышает предел текучести, порог хладноломкости, прокаливаемость стали, но делает сталь чувствительной к перегреву. В связи с этим для измельчения зерна с марганцем в сталь вводят карбидообразующие элементы. Так как во всех сталях содержание марганца примерно одинаково, то его влияние на сталь разного состава остается неощутимым. Марганец повышает прочность, не снижая пластичности стали.

Альтернативная версия написанного выше:

Кремний не является карбидообразующим элементом, и его количество в стали ограничивают до 2 %. Он значительно повышает предел текучести и прочность стали и при содержании более 1 % снижает вязкость, пластичность и повышает порог хладноломкости. Кремний структурно не обнаруживается, так как полностью растворим в феррите, кроме той части кремния, которая в виде окиси кремния не успела всплыть в шлак и осталась в металле в виде силикатных включений.

Маркировка легированных сталей

Марка легированной качественной стали в России состоит из сочетания букв и цифр, обозначающих её химический состав. Легирующие элементы имеют следующие обозначения: хром (Х), никель (Н), марганец (Г), кремний (С), молибден (М), вольфрам (В), титан (Т), тантал (ТТ), алюминий (Ю), ванадий (Ф), медь (Д), бор (Р), кобальт (К), ниобий (Б), цирконий (Ц), селен (Е), редкоземельные металлы (Ч). Цифра, стоящая после буквы, указывает на содержание легирующего элемента в процентах. Если цифра не указана, то легирующего элемента содержится 0,8-1,5 %, за исключением молибдена и ванадия (содержание которых в солях обычно до 0.2-0.3 %) А также бора (в стали с буквой Р его должно быть до 0.010 %). В конструкционных качественных легированных сталях две первые цифры показывают содержание углерода в сотых долях процента. [9]

Пример: 03Х16Н15М3Б — высоколегированная качественная сталь, которая содержит 0,03 % C, 16 % Cr, 15 % Ni, до 3 % Mo, до 1,0 % Nb

Отдельные группы сталей обозначаются несколько иначе:

Примеры использования

См. также

Примечания

Ссылки

Полезное

Смотреть что такое «Легирование» в других словарях:

ЛЕГИРОВАНИЕ — (нем. legieren сплавлять от лат. ligo связываю, соединяю), 1) Введение в состав металлических сплавов т. н. легирующих элементов (напр., в сталь Cr, Ni, Mo, W, V, Nb, Ti и др.) для придания сплавам определенных физических, химических или… … Большой Энциклопедический словарь

ЛЕГИРОВАНИЕ — (нем. Legirung, от лат. ligare связывать). Сплавливание благородного металла с каким либо другим. Словарь иностранных слов, вошедших в состав русского языка. Чудинов А.Н., 1910. ЛЕГИРОВАНИЕ нем. Legirung, от лат. ligare, связывать. Сплавление… … Словарь иностранных слов русского языка

ЛЕГИРОВАНИЕ — (немецкое legieren сплавлять, от латинского ligo связываю, соединяю), введение в металлический расплав или шихту элементов (например, в сталь хрома, никеля, молибдена, вольфрама, ванадия, ниобия, титана), повышающих механические, физические и… … Современная энциклопедия

легирование — ЛЕГИРОВАТЬ, рую, руешь; анный; сов. и несов., что (спец.). Добавить ( влять) в состав металла другие металлы, сплавы для придания определённых свойств. Легирующие элементы. Легированная сталь. Толковый словарь Ожегова. С.И. Ожегов, Н.Ю. Шведова.… … Толковый словарь Ожегова

легирование — сущ., кол во синонимов: 1 • микролегирование (1) Словарь синонимов ASIS. В.Н. Тришин. 2013 … Словарь синонимов

легирование — Целенаправл. изменение состава металлич. сплавов введением легир. эл тов для изменения структуры и физ. хим. и механич. св в. Л. применялось еще в глубокой древности. В России первые промышл. опыты были проведены П. П. Аносовым, к рый разработал… … Справочник технического переводчика

Легирование — – введение в состав металлических (в том числе стальных) сплавов т. н. легирующих элементов (хром, никель, молибден и др.) для придании сплавам определенных физико химических или механических свойств. [Терминологический словарь по бетону и… … Энциклопедия терминов, определений и пояснений строительных материалов

Легирование — (немецкое legieren сплавлять, от латинского ligo связываю, соединяю), введение в металлический расплав или шихту элементов (например, в сталь хрома, никеля, молибдена, вольфрама, ванадия, ниобия, титана), повышающих механические, физические и… … Иллюстрированный энциклопедический словарь

ЛЕГИРОВАНИЕ — процесс контролируемого введения примесей (легирующих элементов) в металлы, сплавы и полупроводники с целью получения необходимых физ., хим., а также механических свойств материала или его слоя при бомбардировке поверхности ионами в случае… … Большая политехническая энциклопедия

легирование — см. Легировать. * * * легирование (нем. legieren сплавлять, от лат. ligo связываю, соединяю), 1) введение в состав металлических сплавов так называемых легирующих элементов (например, в сталь Cr, Ni, Мо, W, V, Nb, Ti и др.) для придания… … Энциклопедический словарь

Источник

Легирование полупроводников.

Легирование− добавление в состав материалов примесей для изменения (улучшения) его физических и химических свойств. Легирование является обобщающим понятием ряда технологических процедур, различают объёмное (металлургическое) и поверхностное (ионное, диффузное и др.) легирование. В разных отраслях применяются разные технологии легирования. При изготовлении полупроводниковых приборов под легированием понимается внесение небольших количеств примесей или структурных дефектов с целью контролируемого изменения электрических свойств полупроводника, в частности, его типа проводимости. Самыми распространёнными легирующими примесями для кремния являются фосфор Р и мышьяк As (позволяют получить n-тип проводимости) и бор В (p-тип). Легирование может осуществляться как в процессе выращивания монокристалла, так и на последующих стадиях обработки.

В настоящее время легирование производят тремя основными технологическими способами: диффузией, лазерным легированием и ионной имплантацией

Термодиффузия,или термическая диффузия примесей (ТДП), является самым простым способом легирования полупроводников. Термодиффузия включает следующие этапы: осаждение легирующего материала, термообработка (отжиг) для внедрения примеси в легируемый материал, удаление легирующего материала.

Возможны три механизма осуществления диффузии легирующе-го элемента: обмен местами из одного равновесного состояния в другое; движение по вакансиям; движение по межузлиям.

Диффузионное введение примеси используется при создании структур с р-n-переходами. Профиль распределения концентрации примеси при диффузии определяется: температу-рой и временем проведения процесса, толщиной слоя, из которого осуществляется диффузия, концентрацией и формой нахождения примеси в источнике, а также её электрическим зарядом и возможностью взаимодействия с сопутствующими примесями и дефектами. ТДП сопровождается генерацией значительного количества дефектов, в частности дислокаций. Методом диффузии трудно получить тонкие легированные слои и резкие р-n-переходы.

Лазерное легированиезаключается в насыщении материала легирующими элементами посредством диффузии предварительно нанесенного слоя под воздействием лазерного пучка. При этом достигается высокая концентрация легирующих компонентов в поверхностных слоях материалов. Лазерное легирование позволяет осуществить локальный нагрев участка образца, а также относительно просто производить регулировку температуры. По способу подвода лазерного излучения различают две схемы: прямую и обратную. В прямой схеме лазерный луч попадает на легируемую поверхность, в обратной схеме подложку облучают с обратной стороны. При использовании обратной схемы энергия квантов излучения должна быть меньше, чем ширина запрещенной зоны полупроводника, иначе излучение будет поглощаться подложкой.

Недостатком данного способа является то, что легирование полупроводников осуществляют при больших интенсивностях лазерного излучения из-за необходимости локального нагрева поверхности полупроводника в области контакта с материалом примеси. Необходимость предварительного подогрева полупроводниковых подложек до 500÷600 °С и специфические процессы протекания диффузии примеси приводят к появлению механических напряжений, которые в ряде случаев достаточны для образования трещин на всю глубину легированного слоя.

Ионная имплантация– процесс внедрения примесей в подложку путем бомбардировки ее поверхности ионами примесей.

Идея использования ионного пучка для легирования полупроводников (в частности, Si) достаточно проста. Разогнанные электрическим полем, обладающие значительной энергией ионы элементов, используемых обычно для создания примесной проводимости, внедряясь в кристалл полупроводника, занимают в его решетке положение атомов замещения и создают соответствующий тип проводимости.

Ионное легирование по сравнению с методом диффузии имеет ряд преимуществ: позволяет в более широких пределах и с большей точностью варьировать величину поверхностной концентрации примесей; вести процесс при более низких температурах; допускает существенно больший выбор легирующих примесей; позволяет получать разнообразные по форме примесные распределения с чёткими границами областей легирования; обеспечивает большую чистоту внедряемых примесей и возможность локального легирования (либо узким ионным пучком, либо с помощью защитных масок).

Источник

легирование полупроводников

для электронного типа проводимости и

Примеси тяжёлых и благородных металлов (Fe, Ni, Сг, Mb, W, Сu, Ag, Au и др.) образуют «глубокие» уровни в запрещённой зоне, имеют большие сечения захвата носителей и являются эффективными центрами рекомбинации, что приводит к значит. снижению времени жизни носителей. Эти примеси обладают малой и ярко выраженной ретроградной растворимостью. Их используют для получения полупроводников с малым временем жизни носителей или с высоким удельным сопротивлением, достигаемым за счёт компенсации мелких энергетич. уровней противоположной природы. Последнее часто применяют для получения полуизолирующих кристаллов широкозонных соединений (GaAs, GaP, InP, используют примеси Fe, Ni, Cr). Основные характеристики наиболее распространённых примесей в важнейших полупроводниках даны в табл.

Методы легирования. Л. п. обычно осуществляют непосредственно в процессах выращивания монокристаллов и эпитаксиальных структур. Примесь вводится в расплав, раствор или газовую фазу. Расчёт необходимого содержания примеси требует знания количественной связи между её концентрацией и свойствами полупроводника и свойств примеси: коэф. распределения К между фазами, упругости паров и скорости испарения в широком интервале темп-р, растворимости в твёрдой фазе и т. д.

При Л. п. необходимо равномерное распределение примеси в объёме кристалла или по толщине эпитаксиального слоя. При направленной кристаллизации из расплава равномерное распределение примеси по длине слитка достигается поддержанием постоянной её концентрации в расплаве (за счёт его подпитки) либо программированным изменением коэф. распределения примеси. Последнее достигается изменением параметров процесса роста. Повысить однородность распределения примесей в монокристаллах можно воздействуя на расплав магн. полем. Магн. поле, приложенное к проводящему расплаву, ведёт к возникновению пондеромоторных сил. Последние резко снижают интенсивность конвекции и связанные с ней флуктуации темп-ры и концентрации примесей. В результате однородность кристалла повышается. Однородного распределения при эпитаксии из жидкой фазы достигают кристаллизацией при пост. темп-ре; в случае газофазной эпитаксии, обеспечивая пост. концентрацию примеси в газовой фазе над подложкой.

Радиационное легирование. Доноры и акцепторы могут возникать в результате ядерных реакций. Наиб. важны реакции под действием тепловых нейтронов, к-рые обладают большой проникающей способностью. Это обеспечивает однородность распределения примеси. Концентрация примесей, образующихся в результате нейтронного облучения, определяется соотношением

метод перспективен для легирования GaAs и др.

Диффузионный метод. При создании структур с р-n-переходами используется диффузионное введение примеси. Профиль распределения концентрации примеси при диффузии имеет вид плавной кривой, характер к-рой определяется: темп-рой и временем проведения процесса, толщиной слоя, из к-рого осуществляется диффузия, концентрацией и формой нахождения примеси в источнике, а также сё электрич. зарядом и возможностью взаимодействия с сопутствующими примесями и дефектами. Из-за малых коэф. диффузии диффузионное Л. п. обычно проводят при высоких темп-рах (для Si при 1100-1350 °С) и в течение длительного времени. Оно, как правило, сопровождается генерацией значит. кол-ва дефектов, в частности дислокаций. Методом диффузии трудно получить тонкие легиров. слои и резкие р-n-переходы.

В скобках указана темп-ра, соответствующая макс. растворимости.

Лит.: Горелик С. С., Дашевский М. Я., Материаловедение полупроводников и металловедение, М., 1973; Мильвидский М. Г., Пелевин О. В., Сахаров Б. А., Физикохимические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений, М., 1974; Легирование полупроводников методом ядерных реакций, Новосиб., 1981.

Источник

Легирование (полупроводник)

Атомы легирующего материала также называются примесями и находятся в разбавленной фазе: их концентрация остается незначительной по сравнению с концентрацией атомов исходного материала.

Резюме

Проводимость в полупроводниках

У нас все еще есть закон массового действия : п ¯ нет ¯ знак равно нет я 2 <\ displaystyle <\ bar

> \, <\ bar > = n_ ^ <2>>

Легирование N- типа и P- типа

Легирование осуществляется путем введения примесей в кристалл полупроводника с целью увеличения количества свободных носителей. Эта вставка осуществляется путем диффузии или трансмутации.

Есть два типа допинга:

На следующих диаграммах показаны примеры легирования кремния соответственно фосфором (легирование N ) и бором (легирование P ). В случае фосфора (слева) вводится дополнительный электрон. В случае бора (справа) один электрон отсутствует; таким образом переносится электронная дырка.

Донорные и акцепторные атомы

Модификация зонной структуры

При легировании P (диаграмма справа) введение электроноакцепторных атомов аналогичным образом приводит к появлению псевдоуровня, расположенного над валентной зоной. Энергия, которая должна быть передана валентным электронам для прохождения через этот акцепторный уровень, мала, и уход электронов вызывает появление дырок в валентной зоне.

Допинговые технологии в микроэлектронике

Существует несколько методов легирования материала:

Обратите внимание, что в настоящее время (2018 г.) 3D-печать не может печатать легированные полупроводники.

Диффузионное легирование

Легирование путем диффузии проводят в печи. Легирующую добавку можно получить:

Допинг ионной имплантацией

Одним из недостатков легирования ионной имплантацией является сильный кристаллический беспорядок, создаваемый ударами между падающими ионами и атомами материала. Это приводит к возникновению неисправностей, которые увеличивают вероятность столкновения и уменьшают подвижность носителей заряда.

Трансмутационный допинг

Допинг лазерным методом

Допинговые заявки

Модуляция концентраций носителей

Обычно считается, что кристалл состоит из:

ПРОТИВ кристалл знак равно <\ displaystyle C _ <\ text > => 10 22 атомов / см 3

Одна из наших гипотез состоит в том, что концентрация примесей должна оставаться незначительной по сравнению с концентрацией атомов кристалла, скажем, на два порядка. Итак, возьмем как можно больше:

ПРОТИВ примеси знак равно <\ Displaystyle C _ <\ text <примеси>> => 10 20 ат / см 3

Мы можем варьировать концентрацию носителей как 1: 1000, то есть до:

ПРОТИВ примеси знак равно <\ Displaystyle C _ <\ text <примеси>> => 10 17 ат / см 3

Это дает запас по электропроводности от:

Для сравнения значения электропроводности примерно:

Устройства и компоненты

Источник

ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ СТЕПЕНИ ЛЕГИРОВАНИЯ НА СВОЙСТВА ПРИМЕСНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

Полупроводниковые материалы подразделяются на собственные и примесные. Чистый, свободный от примеси полупроводник называется собственным. На рис.1 показана структура такого полупроводника на основе кремния Si. В кристалле атомы кремния связаны друг с другом с помощью ковалентной связи, образованной за счет попарного обобществления валентных электронов. При температуре Т=0 К все электроны связаны с атомами кремния и в кристалле нет свободных электронов. В результате кремний при этой температуре является диэлектриком.

С ростом температуры происходит разрыв ковалентных связей. Появляется свободный электрон и незаполненная связь, которая называется дыркой. Дырка имеет по модулю такой же заряд, как и электрон, и является также свободным положительным зарядом способным перемещаться по кристаллу полупроводника.

Энергетическая диаграмма собственного полупроводника представлена на рис.2.

Энергетический зазор между зоной проводимости и валентной зоной называется запрещенной зоной, ширина которой обозначается Eg.Ширина запрещенной зоныравна энергии, которая необходима для разрыва ковалентной связи. При температуре абсолютного нуля валентная зона полностью заполнена электронами, а зона проводимости свободна от них. В этом случае полупроводник ведет себя как диэлектрик, так как электропроводность равна нулю. С повышением температуры экспоненциально растет количество электронов способных преодолеть запрещенную зону и перейти из валентной в зону проводимости. В результате этого растет число свободных носителей заряда: электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне. Данный процесс называется термогенерацией. Электропроводность материала при этом увеличивается. Концентрации электронов n и дырок p будут выражаться следующими формулами:

Эффективные плотности состояний для зоны проводимости и валентной зоны, соответственно, равны:

, , (2.2)

где mnи mp, соответственно, эффективные массы электрона и дырки.

Для расчета эффективных плотностей состояний удобно воспользоваться следующими приближенными формулами:

Уровень Ферми есть энергетический уровень, вероятность заполнения которого носителями заряда равна 0,5. В собственном полупроводнике положение уровня Ферми определяется следующим образом:

. [эВ] (2.3)

Исходя из (2.3), можно утверждать, что уровень Ферми в собственном полупроводнике лежит вблизи середины запрещенной зоны. Собственная концентрация носителей заряда может быть найдена из условий

, (2.4)

. (2.5)

Равенство (2.4) носит название закона действующих масс. Уравнение (2.5) показывает, что собственная концентрация niпри заданной температуре определяется только шириной запрещенной зоны Eg.

На рис.4 показана энергетическая диаграмма полупроводника n-типа. Энергетические уровни доноров лежат вблизи дна зоны проводимости Е_с. Так как вероятность заполнения электронами зоны проводимости выше, чем вероятность заполнения дырками валентной зоны, то уровень Ферми в полупроводнике n-типа располагается вблизи дна зоны проводимости Е_с.

Е_ион

Е_с

Е_F

Е_v

Энергия ионизации примеси Е_ион равна энергии, которую необходимо затратить для того, чтобы оторвать пятый валентный электрон от атома донорной примеси.

При легировании собственного полупроводника элементами третьей группы таблицы Менделеева, например бором, для образования устойчивой связи в кристалле атому примеси не хватает одного электрона. Примесный атом заимствует недостающий электрон у соседних атомов кремния, разрывая ковалентную связь (рис.5). В результате образуются два типа зарядов: свободная дырка и неподвижный отрицательно заряженный ион примеси. Примесь такого типа называется акцепторной, а полупроводник – дырочным или р-типа.

На рис.6 показана энергетическая диаграмма полупроводника р-типа. Энергетические уровни доноров лежат вблизи потолка валентной зоны Е_v. Так как вероятность заполнения дырками валентной зоны выше, чем вероятность заполнения электронами зоны проводимости, то уровень Ферми в полупроводнике р-типа располагается вблизи потолка валентной зоны Е_v.

Е_с

Е_F

Е_v

В составном полупроводнике, например в GaAs, примесь также является замещающей. Так замещение элемента III группы (Ga) примесью II группы (Zn,Cd,Hg) приводит к проводимости р-типа. Цинк Zn, например, захватывает один электрон от основного материала для образования устойчивой связи в кристаллической решетке с атомами мышьяка As. Элементы VI группы (S,Se,Te), замещая элемент V группы (As), по тем же причинам действуют как доноры.

Концентрация неосновных носителей n_p и р_n можно определить из закона действующих масс, согласно которому в условиях термодинамического равновесия выполняется соотношение:

(2.7)

Концентрации электронов и дырок в примесных полупроводниках будут в сильной степени зависеть от температуры Т. В общем случае концентрации основных носителей заряда будут равны:

(2.8)

При низких криогенных температурах собственная концентрация n_i мала, при этом примесь ионизирована лишь частично. Этому случаю соответствует область примесной проводимости I (рис.7).

Наклон зависимости в этой области пропорционален энергии ионизации примеси Е_ион.

(2.9)

По мере роста температуры примесь истощается и при температуре истощения примеси Т_s все атомы примеси полностью ионизированы. Температура истощения примеси Т_s может быть найдена из следующего выражения:

(2.10)

для р-типа

В области II, называемой областью истощения примеси, концентрация основных носителей заряда меняется слабо. В этой области ее можно принять равной концентрации примеси:

(2.11)

Положение уровня Ферми для этого случая определяется из соотношения:

(2.12)

для р-типа

Температура ионизации может быть выражена следующим образом:

(2.13)

для р-типа

В этой области наклон температурной зависимости прямо пропорционален ширине запрещенной зоны Е_g:

(2.14)

Дата добавления: 2015-10-09 ; просмотров: 2545 ; ЗАКАЗАТЬ НАПИСАНИЕ РАБОТЫ

Источник