vcore soc что это dynamic

Обзор и тестирование материнской платы Gigabyte GA-AB350M-HD3

Но какова же плата в реальном бою? Попробуем посмотреть на это.

Небольшое предисловие

Мои ожидания оправдались не полностью: BIOS на базе AGESA 1.0.0.6 был выпущены, а вот в продаже в России плата не появилась.

Содержание

Формальные характеристики платы

Страница на сайте производителя

Поддерживаемые процессоры

AMD Ryzen Summit Ridge и AMD APU Bristol Ridge в исполнении Socket AM4

Набор системной логики

Оперативная память

2 x DDR4 разъёма DIMM, до 32 Гб (небуферизованной, не-ECC)

Поддержка двухканального режима и Intel X.M.P.

Поддержка DDR4 2133/2400/2667/2933(OC)/3200(OC)+ МГц

Аудио

Realtek ALC887 (до 8 каналов)

Сеть

1 x RTL8111H (10/100/1000 Mbit)

Слоты расширения

1 слот PCI Express 3.0 (x16 для Ryzen, x8 для Bristol Ridge)

1 слот PCI Express 2.0 x1 (от AMD B350)

Поддержка графических тандемов

Дисковая подсистема

Поддержка ACHI, NCQ, RAID 0, RAID 1, RAID 0+1.

6 портов USB 2.0 (2 разъёма на плате для подключения 4 портов, 2 порта на задней интерфейсной панели)

6 портов USB 3.1 Gen1 (1 разъём на плате для подключения 2 портов, 4 порта на задней интерфейсной панели)

2 порта USB 3.1 Gen2 (2 порта на задней интерфейсной панели)

Разъёмы и прочий функционал на материнской плате

6 разъёмов SATA3 6Gb/s

1 разъём M.2 для устройств типоразмеров 2242, 2260, 2280 и 22110 с логическими интерфейсами SATA3 и PCIe AHCI/NVMe (PCIe 3.0 x4 при установке процессора Ryzen, PCIe 3.0 x2 при установке процессора Bristol Ridge)

1 разъём для подключения вентилятора системы охлаждения процессора

1 разъём для подключения дополнительного вентилятора

1 колодка лицевой панели корпуса

1 колодка аудиоразъёмов корпуса

2 колодки USB 2.0 для подключения 4 портов

1 колодка USB 3.1 Gen1 для подключения 2 портов

1 разъём для подключения модуля шифрования TPM

1 разъём для подключения COM-порта

1 перемычка сброса настроек CMOS

Разъёмы и прочий функционал на задней панели

1 универсальный разъём PS/2 для подключения клавиатуры либо мыши

4 разъёма USB 3.1 Gen 1 Type A

2 разъёма USB 3.1 Gen 2 Type A

1 сетевой порт RJ-45

Контроллер I/O

BIOS

Две несъёмных микросхемы флеш-памяти объёмом 128 Мбит каждая

Поддержка многоязычной локализации интерфейса (русский присутствует)

Форм-фактор, размеры

Упаковка, комплект поставки

Плата поставляется в стандартной картонной коробке.

Комплектация состоит из вполне обыденного набора мелочей:

• Инструкция к плате;

• Буклет по быстрой сборке;

• Диск с программным обеспечением;

• Винт для установки платы расширения в посадочное место M.2 (винт сразу вкручен в стойку на материнской плате, крайне не рекомендуется терять его т.к. будут сложности с подбором);

• Планка-заглушка на заднюю панель корпуса системного блока.

Внешний вид

Подсветка в целом неброская. Настраивать режимы её работы нельзя, только включить-выключить (соответствующий параметр Ambient LED имеется в BIOS и расположен на закладке Peripherals).

Охлаждение

На плате установлен только один радиатор, который фиксируется посредством двух подпружиненных винтов. Он отвечает за отвод тепла от микросхемы набора системной логики AMD B350.

Радиатором сию конструкцию в обыденном понимании назвать сложно: скорее это оребренная пластина из алюминиевого сплава. Номинальный TDP AMD B350 составляет 5.8 Ватт и такого слабого радиатора хватает практически на пределе: как по показаниям программного мониторинга, так и по замерам пирометром, температура даже в простое превышает значение +50°C.

Все разъёмы четырёхконтактные (4pin), но при этом у каждого из них присутствует по одному контроллеру Nuvoton 3947SA, поэтому возможен контроль и управление оборотов старых трёхконтактных вентиляторов.

В BIOS материнской платы можно настроить работу обоих разъёмов в разделе Smart Fan 5. Доступны три готовых профиля («Тихий», «Нормальный», «Производительный») и один настраиваемый вручную. При соответствующей настройке модели вентиляторов могут останавливаться полностью (как трех-, так и четырехконтактные, проверено на Zalman ZP1225BLM, Thermalright TY-143, Thermalright TY-140, AMD Wraith Spire, ExeGate 9225M12B/UV3, BitFenix Spectre 120mm, Arctic Cooling F9).

Крепление системы охлаждения стандартное для Socket AM4, оснащённое полноценной усилительной пластиной с обратной стороны платы.

Некий Cooler Master, точное название которого теряется во времени, приобретён где-то в 2010-м году

Для систем охлаждения с собственным креплением пользователю необходимо раздобыть соответствующий модернизированный крепёж.

Подсистемы питания процессора и оперативной памяти

Архитектура процессоров AMD в исполнении Socket AM4 такова, что им требуется два основных питания, отличающихся значениями напряжений – процессорных ядер (CPU VCore Voltage) и отдельно кэша L3 (если он есть), контроллеров DDR4, SATA, PCI-E и т.д. (CPU NB/SoC Voltage). Отдельным преобразователем обеспечивается питание оперативной памяти.

Питание процессора на Gigabyte GA-AB350M-HD3 сконструировано не без хитрости. Не всматриваясь в фотографию внимательно, Вы сможете отгадать схему?

В качестве мосфетов используется продукция ON Semiconductor: один 4C10N и два 4C06N на каждую фазу CPU VCore, по одному 4C10N и 4C06N на каждую фазу CPU NB/SoC.

Дизайн, прочая элементная база и особенности

На плате установлены всего два слота памяти, оснащённых классическими защёлками с обеих сторон.

В спецификациях платы указана поддержка частот вплоть до 3200 МГц, при этом отметки 2800 МГц и выше снабжены оговоркой «OC», что означает «режим разгона» или, дословно, «не гарантируется», а 2667 МГц обговариваются как зависящие от используемого процессора.

По правому краю платы мы найдём шесть разъёмов SATA3, которые разбиты на две группы, да ещё и раскрашены в разные цвета.

По нижнему краю платы мы найдём набор колодок для подключения различных интерфейсов.

Слева направо: колодка аудиоразъёмов и SPDif, колодка COM-порта, колодка TPM, две колодки USB 2.0 для подключения четырёх портов, колодка фронтальной панели корпуса системного блока (кнопки включения и перезагрузки, индикаторы активности, системный динамик), колодка USB 3.1 первого поколения (Gen1; с некоторых пор переименованный USB 3.0). Над колодкой фронтальной панели расположена перемычка для сброса настроек BIOS.

По левому краю платы разместился аудиотракт и гигабитный сетевой контроллер Realtek RTL8111H.

В основу аудиотракта положен довольно старый Realtek ALC887. Усилители отсутствуют. Зато не обошлись инженеры (а скорее, маркетологи) Gigabyte без применения ультрамодных конденсаторов Nippon Chemi-Con.

Вдоль этих участков с тыльной стороны платы установлены светодиоды оранжевого цвета.

Задняя интерфейсная панель

• Один универсальный PS/2 для подключения мыши и клавиатуры, два USB 2.0;

• Один DVI-D и D-Sub (работают только при установке процессора AMD APU);

• Один HDMI (работает только при установке процессора AMD APU);

• Один сетевой порт RJ-45 и два USB 3.1 Gen 1;

Слоты расширения, распределение линий PCI-Express

На плате установлено три слота расширения PCI-Express и одно посадочное место M.2.

Обратите внимание, что слоты PEG имеют в своей конструкции специальные алюминиевые вставки, которые, по заявлению Gigabyte, усиливают конструкцию слотов и позволяют лучше переносить нагрузки от видеокарт, обладающих массивной СО и соответствующим весом (данная конструкция получила название «GIGABYTE Patented Double Locking Bracket»).

Посадочное место M.2 рассчитано на устройства типоразмеров 2242, 2260 и 2280. В нём нормально работают SSD NVMe (проверено на Samsung 950 Pro и Samsung SM961), также в M.2 можно установить SSD с интерфейсом SATA (на практике проверить у меня нет возможности в силу отсутствия такого SSD).

Видите две микросхемы переключателя ASMedia ASM1480?

Помните два порта SATA3 серого цвета?

Они связаны. В процессорах AMD Ryzen (в процессорах, не в наборе системной логики!) для подсистемы хранения данных выделено четыре линии PCI-Express 3.0, две из которых допускается переконфигурировать в режим SATA3. Таким образом, к Ryzen можно подключить две связки:

• SSD в режиме PCI-E 3.0 x4;

• SSD в режиме PCI-E 3.0 x2 + 2*SATA3.

Именно по этой схеме работают два серых разъёма SATA3 и посадочное место M.2: при задействовании любого из серых портов SATA3 посадочное место M.2 переключается в режим PCI-E 3.0 x2.

Вообще в наборе системной логики AMD B350 заложена поддержка одного SATA-Express с обратной совместимостью с SATA3 на два разъёма, но, похоже, их реализация вышла бы дороже, да наверняка сыграл свою роль и маркетинг: реализованный SATA-Express на существующих платах на базе AMD B350 встретить затруднительно, это скорее прерогатива AMD X370.

В связи со спецификой новой платформы AMD, которая выражается в том, что вся логика инициализации переместилась в процессор, а набор системной логики в сути низведён до уровня, пусть и весьма продвинутого, но обычного периферийного контроллера. Флеш-память, в которой хранится микрокод BIOS, теперь располагается непосредственно рядом с процессором.

На Gigabyte GA-AB350M-HD3 установлено две несъёмных микросхемы MXIC 25U12873F объёмом 128 Мбит каждая. Gigabyte называет это технологией Gigabyte Dual BIOS: одна микросхема дублирует вторую и срабатывает в случае сбоев. Единственное условие: в первой микросхеме не должна быть повреждена область загрузчика. Тут же расположена и батарейка.

На момент проведения тестов последней официальной версией со статусом «релиз» является прошивка версии F4, датированная 24 августа 2017 года, с которой и проводилось тестирование.

У интерфейса BIOS рассматриваемой материнской платы существует две версии: «упрощённая» и «классическая».

Настроек довольно много, хотя многообразием их число не поражает. Настроек, имеющих прямое отношение к разгону и вовсе мизер.

Тестирование

Тестовый стенд собирался из следующих комплектующих:

• Процессор: AMD Ryzen 7 1700 «Summit Ridge»;

• Система охлаждения: Scythe Katana 4;

• Термоинтерфейс: Arctic COOLING MX-2;

• Оперативная память: 2 х 8 Гбайт G.Skill TridentZ DDR4-3600 (F4-3600C17D-16GTZ; Samsung B-die; одноранговая);

• Блок питания: Corsair HX750W 750 Ватт;

• Видеокарта: NVidia GeForce GTX1080 8 Гбайт GDDR5 / PNY GeForce GTX1080 XLR8 OC Gaming (VCGGTX10808XGPB-OC);

— SmartBuy Ignition 64 Гбайт (Phison PS3108-S8 + 24 nm MLC ToggleNAND Toshiba + S8FM04.6);

— Toshiba OCZ Trion 150 960 Гбайт (Phison S10 + 15 нм 128 Гбит TLC TogleNAND Toshiba + SAFZ12.3);

— Samsung SM961 128 Гбайт (Samsung Polaris + MLC 3D V-NAND Samsung 3-го поколения);

— адаптер Orico 25UTS-BK USB 3.0 – SATA3 на базе контроллера JMicron JMS578;

• Корпус: открытый стенд.

Стабильность напряжений

Температурный режим, разгон

С температурами плата сразу расставила всё по своим местам: уже в штатном режиме на элементах цепей питания CPU VCore были достигнуты значения выше ста градусов Цельсия.

Такие температуры не проходят для платы даром: в продолжительных интенсивных синтетических тестах от платы можно добиться срабатывания темературной защиты и включения троттлинга.

Однако стоит обратить внимание не только на то, что речь об искусственной нагрузке (реальные приложения нагружают систему в меньшей степени), но и на то, что срабатывание защиты происходит только после почти часа непрерывного теста и буквально на мгновения:

На результатах в Linpack AVX такой троттлинг вообще не сказывается:

Дополнительно разгон отличается тем, что в BIOS данной материнской платы невозможно установить фиксированные значения, только «сдвиг» (он же «offset», он же «dvid») относительно некоего напряжения. Это касается обоих основных напряжений процессора. Дело в том, что эти самые величины напряжений динамические и зависят от установленной частоты. И если величины CPU NB/SoC Voltage в платформе AMD ещё предсказуемы, ибо стандартизированы по частотам, то CPU VCore Voltage зависит от конкретного экземпляра процессора. Для моего Ryzen 7 1700 при множителе 38 на процессор материнской платой было выдано 1.224 В.

С напряжением CPU NB/SoC и вовсе типично: колебания невелики, рост величины напряжения в автоматическом режиме происходит по стандартным «порогам» 2400, 2666 и 2800 МГц.

Оказалась достаточно отключить по одному ядру в каждом из блоков процессора, что соответствует конфигурации Ryzen 5 1600. В сочетании с принудительным обдувом цепей питания это позволило не опасаться за работоспособность и жизнь системы.

Полный список изменённых для этого настроек выглядит следующим образом:

Немного тестов

Процессор, память

USB, SATA, M.2 PCIe

Слева направо: M.2 PCIe, SATA3, USB3.1 Gen 1, USB3.1 Gen2

Особых нареканий к показателям быстродействия не имеется.

Выводы

Источник

Разгон оперативной памяти DDR4 на AMD Ryzen и Intel Core

На github.com кто-то заморочился и сделал полноценный гайд по разгону оперативной памяти DDR4 на Intel и AMD Ryzen. А в качестве базовой информации в дополнении к нашему видео он будет полезен каждому.

Делимся переводом, приятного прочтения.

Содержание

Подготовка

Ожидания и ограничения

В этом разделе рассматриваются 3 компонента, влияющие на процесс разгона: микросхемы (чипы памяти), материнская плата и встроенный контроллер памяти (IMC).

Материнская плата

Замечено также, что дешёвые материнские платы могут не разогнаться, возможно по причине низкого качества печатной платы и недостаточного количества слоёв (?).

Микросхемы (чипы памяти)

Отчёты Thaiphoon Burner

По общему мнению, свои отбракованные низкосортные чипы Micron реализует под брендом SpecTek. Многие стали называть этот чип “Micron E-die” или даже просто “E-die”. Если в первом случае ещё куда ни шло, то во втором уже возникает путаница, поскольку подобная маркировка («буква-die») используется у микросхем Samsung, например – “4 Гб Samsung E-die”. Под “E-die” обычно подразумевается чип Samsung, поэтому стоит уточнять производителя, говоря о чипах Micron Rev. E как об “E-die”.

Масштабирование напряжения попросту означает, как чип реагирует на изменение напряжения. Во многих микросхемах tCL масштабируется с напряжением, что означает, что увеличение напряжения может позволить вам снизить tCL. В то время как tRCD и tRP на большинстве микросхем, как правило, не масштабируются с напряжением, а это означает, что независимо от того, какое напряжение вы подаёте, эти тайминги не меняются. Насколько я знаю, tCL, tRCD, tRP и, возможно, tRFC могут (либо не могут) видеть масштабирование напряжения. Аналогичным образом, если тайминг масштабируется с напряжением, это означает, что вы можете увеличить напряжение, чтобы соответствующий тайминг работал на более высокой частоте.

Масштабирование напряжения CL11

На графике видно, что tCL у CJR 8 Гб масштабируется с напряжением почти ровно до 2533 МГц. У B-die мы видим идеально-ровное масштабирование tCL с напряжением.

Некоторые старые чипы Micron (до Rev. E) известны своим отрицательным масштабированием с напряжением. То есть при повышении напряжения (как правило, выше 1,35 В) они становятся нестабильными на тех же таймингах и частоте. Ниже приведена таблица некоторых популярных чипов, показывающая, какие тайминги в них масштабируются с напряжением, а какие нет:

Тайминги, которые не масштабируются с напряжением, как правило необходимо увеличивать с частотой. Масштабирование напряжения tRFC у B-die.

Примечание: Шкала tRFC в тактах (тиках), не во времени (нс).

Ожидаемая максимальная частота

Ниже приведена таблица предполагаемых максимальных частот некоторых популярных чипов:

* – результаты тестирования CJR у меня получились несколько противоречивыми. Я тестировал 3 одинаковых планки RipJaws V 3600 CL19 8 Гб. Одна из них работала на частоте 3600 МГц, другая – на 3800 МГц, а последняя смогла работать на 4000 МГц. Тестирование проводилось на CL16 с 1,45 В.

Не ждите, что одинаковые, но разнородные по качеству, чипы производителя одинаково хорошо разгонятся. Это особенно справедливо для B-die.

Суть биннинга заключается в разделении производителем полученной на выходе продукции «по сортам», качеству. Как правило, сортировка производится по демонстрируемой при тестировании частоте.

Чипы, показывающие одну частоту, производитель отделяет в одну «коробку», другую частоту – в другую «коробку». Отсюда и название процедуры – “binning” (bin – ящик, коробка).

B-die из коробки «2400 15-15-15» намного хуже чем из коробки «3200 14-14-14» или даже из «3000 14-14-14». Так что не ждите, что третьесортный B-die даст образцовые показатели масштабирования напряжения.

Чтобы выяснить, какой из одинаковых чипов обладает лучшими характеристиками на одном и том же напряжении, нужно найти немасштабируемый с напряжением тайминг.

Просто разделите частоту на этот тайминг, и чем выше значение, тем выше качество чипа. Например, Crucial Ballistix 3000 15-16-16 и 3200 16-18-18 оба на чипах Micron Rev. E. Если мы разделим частоту на масштабируемый с напряжением тайминг tCL, мы получим одинаковое значение (200). Значит ли это, что обе планки – одного сорта? Нет.

А вот tRCD не масштабируется с напряжением, значит его необходимо увеличивать по мере увеличения частоты. 3000/16 = 187,5 против 3200/18 = 177,78.

Как видите, 3000 15-16-16 более качественный чип, нежели 3200 16-18-18. Это означает, что чипы 3000 15-16-16 очевидно смогут работать и как 3200 16-18-18, а вот смогут ли 3200 16-18-18 работать как 3000 15-16-16 – не факт. В этом примере разница в частоте и таймингах невелика, так что разгон этих планок будет, скорее всего, очень похожим.

Максимальное рекомендованное повседневное напряжение

Спецификация JEDEC указывает (стр. 174), что абсолютный максимум составляет 1,50 В

Напряжения, превышающие приведенные в разделе «Абсолютные максимальные значения», могут привести к выходу устройства из строя. Это только номинальная нагрузка, и функциональная работа устройства при этих или любых других условиях выше тех, которые указаны в соответствующих разделах данной спецификации, не подразумевается. Воздействие абсолютных максимальных номинальных значений в течение длительного периода может повлиять на надежность.

Я бы советовал использовать 1,5 В только на B-die, поскольку известно, что он выдерживает высокое напряжение. Во всяком случае, у большинства популярных чипов (4/8 Гб AFR, 8 Гб CJR, 8 Гб Rev. E, 4/8 Гб MFR) максимальное рекомендуемое напряжение составляет 1,45 В. Сообщалось, что некоторые из менее известных чипов, таких как 8 Гб C-die, имеют отрицательное масштабирование или даже сгорают при напряжении выше 1,20 В. Впрочем, решать вам.

Ниже показано, как самые распространенные чипы ранжируются с точки зрения частоты и таймингов.

Встроенный контроллер памяти (IMC)

IMC от Intel достаточно устойчивый, поэтому при разгоне он не должен быть узким местом. Ну а чего ещё ждать от 14+++++ нм?

Для разгона RAM необходимо изменить два напряжения: System Agent (VCCSA) и IO (VCCIO). Не оставляйте их в режиме “Auto”, так как они могут подать опасные уровни напряжения на IMC, что может ухудшить его работу или даже спалить его. Большую часть времени можно держать VCCSA и VCCIO одинаковыми, но иногда перенапряжение может нанести ущерб стабильности, что видно из скриншота:

предоставлено: Silent_Scone.

Я не рекомендовал бы подниматься выше 1,25 В на обоих.

Ниже – предлагаемые мной значения VCCSA и VCCIO для двух одноранговых модулей DIMM:

Если модулей больше, и/или используются двуранговые модули, то может потребоваться более высокое напряжение VCCSA и VCCIO.

tRCD и tRP взаимосвязаны, то есть, если вы установите tRCD на 16, а tRP на 17, то оба будут работать с более высоким таймингом (17). Это ограничение объясняет, почему многие чипы работают не очень хорошо на Intel и почему для Intel лучше подходит B-die.

В UEFI Asrock и EVGA оба тайминга объединены в tRCDtRP. В UEFI ASUS tRP скрыт. В UEFI MSI и Gigabyte tRCD и tRP видны, но попытка установить для них разные значения приведет просто к установке более высокого значения для обоих.

Ожидаемый диапазон латентности памяти: 40-50 нс.

В Ryzen 1000 и 2000 IMC несколько привередлив к разгону и может не дать столь же высоких частот, как Intel. IMC Ryzen 3000 намного лучше и более-менее наравне с Intel.

SoC voltage – это напряжение для IMC, и, как и в случае с Intel, не рекомендуется оставлять его в “Auto” режиме. Тут достаточно 1,0 – 1,1 В, поднимать выше смысла нет.

На Ryzen 2000 (а возможно и на 1000 и 3000), вольтаж выше 1,15 В может отрицательно повлиять на разгон.

«На разных процессорах контроллер памяти ведет себя по-разному. Большинство процессоров будут работать на частоте 3466 МГц и выше при напряжении SoC 1,05 В, однако разница заключается в том, как разные процессоры реагируют на напряжение. Одни выглядят масштабируемыми с повышенным напряжением SoC, в то время как другие просто отказываются масштабироваться или вовсе демонстрируют отрицательное масштабирование. Все протестированные экземпляры демонстрировали отрицательное масштабирование при использовании SoC более 1,15 В. Во всех случаях максимальная частота памяти была достигнута при напряжении SoC = GDM вкл CR 1T > GDM откл CR 2T.

У процессоров Ryzen 3000 с одним CCD (процессоры серий ниже 3900X) пропускная способность записи вдвое меньше.

«В пропускной способности памяти мы видим нечто странное: скорость записи у AMD 3700X – у которого скорость записи благодаря соединению кристаллов CDD и IOD составляет 16 байт/такт – вдвое меньше, чем у 3900X. AMD заявляет, что это позволяет экономить электроэнергию, снизить нагрев процессора (TDP), к чему так стремится AMD. AMD говорит, что приложения редко делают чистые операции записи, но в одном из наших тестов на следующей странице мы увидим, как это ухудшило производительность 3700X.»

Достаточно высокий FCLK у Ryzen 3000 может компенсировать потери от десинхронизации MCLK и FCLK, при условии, что вы можете назначить MCLK для UCLK.

Разгон

Дисклеймер: потенциал разгона сильно зависит от «кремниевой лотереи» (чип чипу рознь), поэтому могут быть некоторые отклонения от моих предложений.

Процесс разгона достаточно прост и выполняется в 3 шага:

Нахождение максимальной частот

На AMD начинать нужно с 1.10 В SoC. Напряжение SoC может называться по-разному в зависимости от производителя.

Обратите внимание, что это добавочное напряжение. Базовое напряжение изменяется автоматически при увеличении частоты DRAM. Напряжение 0,10 В на частоте 3000 МГц может привести к фактическому напряжению 1,10 В, а 0,10 В на частоте 3400 МГц приводит уже к фактическому напряжению 1,20 В. MSI: CPU NB/SOC.

2. Установите напряжение DRAM 1,4 В. Для планок на чипах Micron/SpecTek (за исключением Rev. E) следует установить 1,35 В.

3. Выставите основные тайминги следующим образом: 16-20-20-40 (tCL-tRCD-tRP-tRAS). Подробнее об этих таймингах читайте тут (на англ.)

4. Постепенно увеличивайте частоту DRAM до тех пор, пока Windows не откажет. Помните об ожидаемых максимальных частотах, упомянутых выше. На Intel, быстрый способ узнать, нестабильны ли вы, это следить за значениями RTL и IOL. Каждая группа RTL и IOL соответствует каналу. В каждой группе есть 2 значения, которые соответствуют каждому DIMM. Используйте Asrock Timing Configurator. Поскольку у меня обе планки стоят во вторых слотах каждого канала, мне нужно посмотреть на D1 в каждой группе RTL и IOL. Значения RTL у планок не должны разниться между собой более чем на 2, а значения IOL более чем на 1.

В моём случае, RTL разнятся ровно на 2 (53 и 55), а значения IOL не разнятся вовсе (7 у обоих планок). Все значения в пределах допустимых диапазонов, однако имейте в виду, что это ещё не значит, что всё действительно стабильно.

На Ryzen 3000 – убедитесь, что частота Infinity Fabric (FCLK) установлена равной половине вашей действующей частоты DRAM.

5. Запустите тест памяти на свой выбор.

6. При зависании/краше/BSOD, верните частоту DRAM на ступень ниже и повторите тестирование.

7. Сохраните ваш профиль разгона в UEFI.

8. Теперь вы можете либо попытаться перейти на ещё более высокую частоту, либо начать подтягивать тайминги. Ее забывайте об ожидаемых максимальных частотах, о которых мы говорили ранее. Если вы достигли пределов возможностей чипа и/или IMC, то самое время заняться оптимизацией таймингов.

Пробуем повысить частоты

2. Увеличьте основные тайминги до 18-22-22-42.
3. Повысьте вольтаж DRAM до 1,45 В.
4. Выполните шаги 4-7 из раздела «Нахождение максимальной частоты».
5. Выполните оптимизацию («подтягивание») таймингов.

Дополнительно: Тайминги и частота — разрушаем мифы