Этот биполярный транзистор изготавливается в пластиковом корпусе типа TO-220AB, с тремя металлическими выводами и еще одним коллектором, который также является радиатором.
Может применяться в схемах управления, где нужна высокая скорость переключения, но требуется большая мощность. Также этот составной радиокомпонент заметен в системах управления импульсным электродвигателем и в усилителях общего применения.
Большинство заводов изготовителей выпускают данный транзистор в металло-пластиковом корпусе ТО-220 с тремя жесткими выводами. Первый вывод слева, если смотреть со стороны маркировки будет базой, средний коллектором и последний эмиттером. Коллектор также имеет прямой физический контакт с металлическим основанием.
На фронтальной части корпуса наносится маркировка. На ней расположены следующие сведения: название устройства (TIP127), литера G говорит о том, что полупроводник не имеет свинца в своем составе и безопасен для окружающей среды; А – место сборки, год выпуска и рабочая неделя.
Комплементарной парой является транзистор TIP122, с такими же характеристиками, но p-n-p типа.
Подробные характеристики и свойства транзистора TIP127 при температуре 25° Цельсия:
Тепловые характеристики имеют огромное значение. Особенно в конструкциях, где транзистор рассеивает большую мощность. Для подобных схем правильный выбор теплоотвода, крайне важен для нормальной работы устройства. Его использование позволяет получить максимальные результаты в производительности и сгладить негативное влияние от нагрева элемента.
Необходимо четко понимать, что без нормального охлаждения, вместе с ростом температуры, рассеиваемая мощность транзистора значительно снижается. Практически все производители наглядно показывают эти изменения в datasheet в виде специальных графиков.
Биполярный транзистор состоит из двух P-N переходов. Его выводы называются, как эммитер, база и коллектор. Слой, который посередине, называется базой. Эммитер и коллектор находятся по краям. В P-N-P транзисторе в классической схеме включения ток втекает в эммитер и собирается в коллекторе. А ток базы регулирует ток в коллекторе. Не будем на этом подробно останавливаться, если у вас и возникло желание разобраться с работой, то вы можете посмотреть соответствующую лекцию.
Простой усилитель мощности звуковой частоты :
Основа схемы операционный усилитель TL081 и два выходных транзисторах TIP127 и TIP127. Выходная мощность схемы 12 Вт при выходной нагрузке 8 Ом. Напряжение питания устройства может варьироваться от +/-12 до +/-18 Вольт.
Характеристики кремниевого транзистора TIP127 говорят о том, что он довольно мощный, относится к типу составных n-p-n триодов (схема известного физика Сидни Дарлингтона). Применяется в тех схемах управления, где приоритет отдаётся мощности а не скорости переключения. Ещё одна область использования — это неспециализированные усилители и системы управления импульсными двигателями.
Цоколевка
Для удобства восприятия приведём распиновку, т.е. обозначение выводов транзистора TIP127 вместе с внутренней схемой и примером маркировки. Обратите внимание, что вывод коллектора «2» объединён с металлическим креплением. В основном выпускается данный полупроводник в пластмассовом корпусе с жёсткими ножками стандарта ТО-220.
В редких случаях Вам может попасться изделие в корпусе ТО-126. Будьте внимательны, т.к. цоколевка у таких компонентов будет иная, её мы так же приводим для наглядности.
Технические характеристики
Максимальные характеристики транзисторов очень важны, т.к. при проектировании позволяют подобрать оптимальные компоненты для работы в штатном и предельном режимах. В Datasheet TIP127 (можно скачать по ссылке в конце статьи) они приведены, измеренные в стандартных условиях при температуре +25 О С. Рекомендовано в нормальном режиме работы не допускать превышения 80% от предельных значений:
Далее в документации приводятся электрические характеристики, измеренные при определенных условиях (графа в таблицы «режимы измерения»). Значение температуры при испытаниях так же составляет +25 О С.
Рассмотрим теперь тепловые характеристики. Данная группа параметров важна для транзисторов, которые должны рассеивать немалую мощность. Следует также учитывать, что при изменении температуры кристалла параметры транзистора могут измениться.
Также эти данные важны при выборе радиатора. Ниже представлен график зависимости максимальной рассеиваемой мощности от температуры кристалла. На нем показано, что если она меньше +25 О С транзистор может рассеивать до 65 Вт, при увеличении этого показателя мощность уменьшается.
Аналоги
У транзистора TIP127 немало аналогов, среди зарубежных устройств. Вот некоторые, имеющие такой же корпус, распиновку, схожие параметры и выполняющие аналогичные функции:
А это транзисторы, которые так же подходят в качестве аналога TIP127, но электрические параметры не полностью идентичны:
Есть у него и отечественный аналог — это КТ8115А.
Комплементарной парой для него является TIP122.
Производители
Производство транзистора TIP127 налажено у следующих иностранных компаний:
В России в большинстве случаев можно встретить транзисторы, выпускаемые компаниями Fairchild Semiconductor и STMicroelectronics.
Согласно своим характеристикам, транзистор TIP127 относится к мощным кремниевым p-n-p изделиям. Он является составным, биполярным, выполненным по схеме Дарлингтона. Может использоваться в схемах управления, где не важна высокая скорость переключения, но требуется большая мощность. Также применяется в системах управления импульсным двигателем и в усилителях общего использования.
Распиновка
Цоколевка у TIP127 следующая. Большинство фирм производителей изготавливают данный транзистор в корпусе ТО-220 с жесткими выводами. Материал корпуса пластмасса. Первый вывод слева, если смотреть со стороны маркировки является базой, второй коллектором, третий эмиттером. Коллектором также является металлическое основание.
Но есть и исключения из правил. Так, компания Unisonic Technologies выпускает данный прибор в другом пластовом корпусе ТО-126. Первая ножка рассматриваемого устройства – эмиттер, вторая – коллектор, третья – база.
Маркировка
На лицевой стороне корпуса транзистора наносится маркировка. На ней расположены такие сведения:
Технические характеристики
Максимальные значения параметров транзистора TIP127 компании-производители обычно указывают в самом начале технической документации. Они измеряются при температуре +25 О С. Рабочие значения должны быть меньше предельно допустимых на 20%. Рассмотрим их подробнее:
Электрические характеристики
В таблице электрических параметров имеется специальный столбец, в котором приведены значения, при которых производитель тестировал устройства. Измерение производится при той же температуре, что и при определении максимальных параметров.
Тепловые параметры
Необходимо помнит, что без охлаждения, вместе с увеличением температуры, рассеиваемая мощность устройства резко падает. Практически все производители наглядно представляют эти изменения в даташит в виде графиков.
Аналоги
Транзистор TIP127 имеет много зарубежных аналогов. Приведем устройства, которые имеют такой же корпус, расположение выводов, электрические и функциональные характеристики: 2N6035, 2N6040, 2N6041, 2N6042, 2SB673, 2SB791, ECG26, TIP125, TIP126. На данные приборы можно менять без внесения изменений в электрическую схему.
Существуют похожие транзисторы, которыми можно заменить рассматриваемый, но некоторые электрические параметры могут отличаться: 2SB1024, 2SB676, BD332, BD334, BDT60B, BDW24C, BDW64C, KSB601, KTB1423, NSP702, TIP627.
Имеется также отечественный аналог TIP127 — КТ8115А.
Рекомендуемая комплементарная пара – TIP122.
Производители
Занимаются производством рассматриваемого транзистора такие зарубежные фирмы: STMicroelectronics, Fairchild Semiconductor, Unisonic Technologies, Foshan Blue Rocket Electronics, ON Semiconductor, Foshan Blue Rocket Electronics, Continental Device India Limited, TRANSYS Electronics Limited, JILIN SINO-MICROELECTRONICS, Savantic, Tiger Electronic, TAITRON Components Incorporated, Central Semiconductor, Power Innovations, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS, TAI-SAW TECHNOLOGY, KEC(Korea Electronics), Wing Shing Computer Components, New Jersey Semi-Conductor Products, SemiHow, Motorola, Comset Semiconductor, Boca Semiconductor Corporation, Nanjing International Group, Weitron Technology, First Components International, Rectron Semiconductor, Mospec Semiconductor. Кликнув по ссылке, можно скачать datasheet tip127 компании-изготовителя.
На Российском рынке наиболее распространены транзисторы STMicroelectronics.
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
TIP127 Datasheet (PDF)
TIP120/121/122TIP125/126/127COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS STMicroelectronics PREFERREDSALESTYPESDESCRIPTION The TIP120, TIP121 and TIP122 are siliconEpitaxial-Base NPN power transistors inmonolithic Darlington configuration mounted inJedec TO-220 plastic package. They are intentedfor use in power linear and switching applications.32The complement
TIP120/121/122TIP125/126/127COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPESDESCRIPTION The TIP120, TIP121 and TIP122 are siliconepitaxial-base NPN power transistors inmonolithic Darlington configuration Jedec TO-220plastic package, intented for use in power linearand switching applications.The complementary PNP types are TIP125,32T
TIP122FPTIP127FPCOMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS STMicroelectronics PREFERREDSALESTYPES FULLY INSULATED PACKAGE (U.L.COMPLIANT) FOR EASY MOUNTINGDESCRIPTION The TIP122FP is a silicon Epitaxial-Base NPNpower transistor in monolithic Darlingtonconfiguration mounted in Jedec TO-220FP fully32molded isolated package. It is intented for use in1pow
TIP122FPTIP127FPCOMPLEMENTARY SILICON POWERDARLINGTON TRANSISTORS SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES FULLY MOLDED ISOLATED PACKAGE 2000 V DC ISOLATION (U.L. COMPLIANT)DESCRIPTIONThe TIP122FP is a silicon epitaxial-base NPNpower transistor in monolithic Darlingtonconfiguration Jedec TO-220FP fully moldedisolated package, intented for use in power linear32and switching a
TIP120/121/122TIP125/126/127COMPLEMENTARY SILICON POWERDARLINGTON TRANSISTORSn SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPESDESCRIPTIONThe TIP120, TIP121 and TIP122 are siliconepitaxial-base NPN power transistors inmonolithic Darlington configuration Jedec TO-220plastic package, intented for use in power linearand switching applications.The complementary PNP types are TIP125,32TI
MCCMicro Commercial ComponentsTMTIP125/126/12720736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939FeaturesSilicon PNP The complementary NPN types are the TIP121/2/3 respectively Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) («P» Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information)Darlington Epoxy mee
+150 CJunction Temperature Tj 150 CTotal Power Dissipation PD 65
SEMICONDUCTOR TIP127TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORSWITCHING APPLICATIONS. HAMMER DRIVER, PULSE MOTOR DRIVER ARAPPLICATIONS.S FEATURES PD High DC Current Gain : hFE=1000(Min.) at VCE=-3V, IC=-3A. DIM MILLIMETERSA 10.30 MAX High Collector Breakdown Voltage : VCEO=-120V(Min.)B 15.30 MAXC 0.80_+D 3.60 0.20TE 3.00F 6.70 MAX_G 13.60 + 0.50
TIP120-TIP127 TO-220 Darlington Transistor TO-2201.BASE 2.COLLECTOR3.EMITTER 3 21FeaturesTIP120,121,122 Darlington TRANSISTOR (NPN) TIP125,126,127 Darlington TRANSISTOR (PNP) Medium Power Complementary silicon transistors Dimensions in inches and (millimeters)MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter TIP120 TIP121 TIP122 Units TIP1
0.10. htip127.pdf Size:50K _hsmc
Spec. No. : HE6713HI-SINCERITYIssued Date : 1993.01.13Revised Date : 2004.11.19MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HTIP127PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionTO-220The HTIP127 is designed for use in general purpose amplifier and low-speedswitching applications. Darlington SchematicCAbsolute Maximum Ratings (TA=25C)B Maximum TemperaturesStorage Temper
0.11. tip127l.pdf Size:378K _blue-rocket-elect
TIP127L(BR3DA127LQ) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-126 PNP Silicon PNP transistor in a TO-126 Plastic Package. / Features TIP122L(BR3DA122LQ) Complement to TIP122L(BR3DA122LQ). / Applications Medium power linear switching applications. / E
TIP120,121,122SEMICONDUCTORTECHNICAL DATATIP125,126,127 TIP120,121,122 Darlington TRANSISTOR (NPN)TO-220 TIP125,126,127 Darlington TRANSISTOR (PNP) 1.BASE 2.COLLECTOR FEATURESMedium Power Complementary silicon transistors 3.EMITTER MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter TIP120 TIP121 TIP122 Units TIP125 TIP126 TIP127 VCBO Collector-Base Vol
0.13. tip127.pdf Size:689K _kexin
DIP Type TransistorsPNP Darlington TransistorsTIP127 (KIP127)TO-22010.16 0.20 3.18 0.10 2.54 0.20(0.70) Features(1.00×45 ) Collector Current Capability IC=-5A Collector Emitter Voltage VCEO=-100V Medium Power Complementary Silicon TransistorsMAX1.470.80 0.101 23#10.35 0.10 +0.100.50 0.05 2.76 0.202.54TYP 2.54TYP[2.54
Параметры транзистора TIP127. Интернет-справочник основных параметров транзисторов.
Высказывания: Скоро только кошки родятся.
Основные параметры транзистора TIP127 биполярного низкочастотного pnp.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
65W
100V
100V
5V
5A
150°C
—
—
1000MIN
Производитель: TI Сфера применения: Darlington, Power Популярность: 27628 Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора TIP127
Общий вид транзистора TIP127.
Цоколевка транзистора TIP127.
Коллективный разум. Дополнения для транзистора TIP127.
Дополнение: В современное время транзисторы 127 используют очень часто в Гироскуторах, и они часто там ломаются, поэтому очень актуально иметь их в запасе.. Дата добавления: 2017-05-13 03:42:25; Пользователь: Евгений.
Комментарий к рисунку: Нет. Дата добавления: 2017-07-11 19:49:52; Пользователь: polk90.
Другие разделы справочника:
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество.
