truddr4 что это за память

Что нужно знать о DDR4 ОЗУ?

Компьютерные технологии стремительно развиваются, заменяются новыми параметрами и спецификациями, но оперативная память располагает преимуществом во времени. DDR SDRAM был запущен в 2000 году и прошло три года, перед приходом в 2003 году DDR2 SDRAM. Время DDR2 продолжалось четыре года, в 2007 году её заменила DDR3 SDRAM. С тех пор она уже семь лет без изменений, но запуск DDR4 совершился.

Что нового в DDR4?

Внешне, DDR4 такой же ширины, как и DDR3, но немного выше примерно на 9 мм. Разница между DDR3 и DDR4 в том, что DDR4 использует 288 контактов по сравнению с 240 на DDR3 и ключ находится в другом месте.

DDR3 работает на 1.5 В с модулями, работающих на 1,35 В. DDR4 изначально работает на 1.2 В с модулями, на 1.05 В. Кроме того, DDR4 поддерживает ряд усовершенствований энергосбережения, активируясь, когда система находится в режиме ожидания.
Пониженное рабочее напряжение позволяет DDR4 потреблять меньше энергии (и, следовательно, более низкую рабочую температуру), чем DDR3.

DDR4 имеет рабочую частоту с 2133MHz (это является пределом для DDR3), в конечном итоге частота около 3200MHz. DDR4 чипы также могут быть изготовлены в плотностях до 16 Гб (или 2 Гб) на планку, которая дважды превышает плотность DDR3. Это означает, что мы увидим железо потребительского класса ёмкостью 16 Гб, а 64 ГБ на планке для памяти серверного уровня.

Минусы DDR4

Как и большинство новых технологий, DDR4 не является совершенным. Цены будут выше на 20-50%, чем у таких же планок DDR3. По мере увеличения спроса, стоимость снизится, но сейчас DDR4 просто будет дороже.
Вторая проблема заключается в том, что несмотря на более высокие частоты DDR4, чем у DDR3, тайминг хуже.

DDR3-2133MHz планки обычно имеют CL10-CL11, текущие планки DDR4-2133Mhz будут огорчать CL15. Это не является сюрпризом, повторяется ситуация, когда была представлена DDR3, но это не значит, будто четвертое поколение, уступает предшественнику, всего лишь на первых порах.
При сравнении Core i7 5960X и 4960X, Geekbench сообщает лишь немного отличающиеся баллы с DDR4-2133MHz по сравнению с DDR3-1600MHz (5691 против 5382). Более высокие частоты будут достигнуты в ближайшем будущем, остаётся укоротить тайминг, и мы увидим мощь DDR4.

Заключение

Наиболее важны две вещи: пониженное рабочее напряжение и высокая плотность памяти. С меньшим температурным режимом компоненты куда более надежнее, по отношению к своим собратьям.

Мнение автора

Если выбрать один аспект DDR4 в качестве наиболее важного, то плотность памяти является моим выбором. Это огромный плюс, что делает более желанной DDR4 в сравнении к DDR3.

Программы и типы данных становятся больше и сложнее, ОЗУ большей вместимости будет становиться все более и более значимым. Уже около 33% на базе X79, проданы Puget Systems, с января 2014 уже превышен объем памяти, который можно установить в системе с помощью 8x 8 ГБ планок или 64 ГБ оперативной памяти в сумме. Это огромная часть продаж Puget Systems, так как DDR4 имеет большой потенциал и хотелось бы увидеть её в высокопроизводительных рабочих станциях.

UPD 19.11.204: Извините за ошибки и сложность осмысления перевода. Благодарю за критику и проявленное внимание.

Источник

Начало новой эпохи. Как работает оперативная память стандарта DDR4

Вот и вышли процессоры Intel Haswell-E. Ferra.ru уже успела протестировать топовый 8-ядерник Core i7-5960X, а также материнскую плату ASUS X99-DELUXE. И, пожалуй, главной «фишкой» новой платформы стала поддержка стандарта оперативной памяти DDR4.

Из этой статьи вы узнаете, какими же преимуществами обладают «мозги» нового поколения, и как полученные изменения повлияют на производительность памяти. Однако для начала — небольшой экскурс в историю.

Начало новой эпохи, эпохи DDR4

О стандарте SDRAM и модулях памяти

Первые модули SDRAM появились еще в 1993 году. Их выпустила компания Samsung. А уже к 2000 году память SDRAM за счет производственных мощностей корейского гиганта полностью вытеснила с рынка стандарт DRAM.

Аббревиатура SDRAM расшифровывается как Synchronous Dynamic Random Access Memory. Дословно это можно перевести как «синхронная динамическая память с произвольным доступом». Поясним значение каждой характеристики. Динамической память является потому, что в силу малой емкости конденсаторов она постоянно требует обновления. К слову, кроме динамической, также существует и статическая память, которая не требует постоянного обновления данных (SRAM). SRAM, например, лежит в основе кэш-памяти. Помимо динамической, память также является синхронной, в отличие от асинхронной DRAM. Синхронность заключается в том, что память выполняет каждую операцию известное число времени (или тактов). Например, при запросе каких-либо данных контроллер памяти точно знает, сколько времени они будут до него добираться. Свойство синхронности позволяет управлять потоком данных и выстраивать их в очередь. Ну и пару слов о «памяти с произвольным доступом» (RAM). Это означает, что единовременно можно получить доступ к любой ячейке по ее адресу на чтение или запись, причем всегда за одно и то же время вне зависимости от расположения.

Модуль памяти SDRAM

Если говорить непосредственно о конструкции памяти, то ее ячейками являются конденсаторы. Если заряд в конденсаторе есть, то процессор расценивает его как логическую единицу. Если заряда нет — как логический ноль. Такие ячейки памяти имеют плоскую структуру, а адрес каждой из них определяется как номер строки и столбца таблицы.

В каждом чипе находится несколько независимых массивов памяти, которые представляют собой таблицы. Их называют банками. В единицу времени можно работать только с одной ячейкой в банке, однако существует возможность работы сразу с несколькими банками. Записываемая информация необязательно должна храниться в одном массиве. Зачастую она разбивается на несколько частей и записывается в разные банки, причем процессор продолжает считать эти данные единым целым. Такой способ записи называется interleaving. В теории, чем больше в памяти таких банков, тем лучше. На практике модули с плотностью до 64 Мбит имеют два банка. С плотностью от 64 Мбит до 1 Гбит — четыре, а с плотностью 1 Гбит и выше — уже восемь.

Что такое банк памяти

И несколько слов о строении модуля памяти. Сам по себе модуль памяти представляет собой печатную плату с распаянными на ней чипами. Как правило, в продаже можно встретить устройства, выполненные в форм-факторах DIMM (Dual In-line Memory Module) или SO-DIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module). Первый предназначается для использования в полноценных настольных компьютерах, а второй — для установки в ноутбуки. Несмотря на один и тот же форм-фактор, модули памяти разных поколений отличаются количеством контактов. Например, решение SDRAM имеет 144 пина для подключения к материнской плате, DDR — 184, DDR2 — 214 пинов, DDR3 — 240, а DDR4 — уже 288 штук. Конечно, речь в данном случае идет о DIMM-модулях. Устройства, выполненные в форм-факторе SO-DIMM, само собой имеют меньшее число контактов в силу своих меньших размеров. Например, модуль памяти DDR4 SO-DIMM подключается к «материнке» за счет 256 пинов.

Модуль DDR (внизу) имеет больше пинов, чем SDRAM (вверху)

Вполне очевидно и то, что объем каждого модуля памяти высчитывается как сумма емкостей каждого распаянного чипа. Чипы памяти, конечно, могут отличаться своей плотностью (или, проще говоря, объемом). К примеру, прошедшей весной компания Samsung наладила серийное производство чипов с плотностью 4 Гбит. Причем в обозримом будущем планируется выпуск памяти с плотностью 8 Гбит. Также модули памяти имеют свою шину. Минимальная ширина шины составляет 64 бит. Это означает, что за такт передается 8 байт информации. При этом нужно отметить, что также существуют 72-битные модули памяти, в которых «лишние» 8 бит отведены для технологии коррекции ошибок ECC (Error Checking & Correction). Кстати, ширина шины модуля памяти также является суммой ширин шин каждого отдельно взятого чипа памяти. То есть, если шина модуля памяти является 64-битной и на планке распаяно восемь чипов, то ширина шины памяти каждого чипа равна 64/8=8 бит.

Чтобы рассчитать теоретическую пропускную способность модуля памяти, можно воспользоваться следующей формулой: A * 64/8=ПС, где «А» — это скорость передачи данных, а «ПС» — искомая пропускная способность. В качестве примера можно взять модуль памяти типа DDR3 с частотой 2400 МГц. В таком случае пропускная способность будет равняться 2400 * 64/8=19200 Мбайт/с. Именно это число имеется в виду в маркировке модуля PC3-19200.

Как же происходит непосредственно чтение информации из памяти? Сначала подается адресный сигнал в соответствующую строку (Row), а уже затем считывается информация из нужного столбца (Column). Информация считывается в так называемый усилитель (Sense Amplifiers) — механизм подзарядки конденсаторов. В большинстве случаев контроллер памяти считывает сразу целый пакет данных (Burst) с каждого бита шины. Соответственно, при записи каждые 64 бита (8 байт) делятся на несколько частей. К слову, существует такое понятие как длина пакета данных (Burst Length). Если эта длина равна 8, то за один раз передается сразу 8 * 64=512 бит.

Модули и чипы памяти также имеют такую характеристику, как геометрия, или организация (Memory Organization). Геометрия модуля показывает его ширину и глубину. Например, чип с плотностью 512 Мбит и разрядностью (шириной) 4 имеет глубину чипа 512/4=128М. В свою очередь, 128М=32М * 4 банка. 32М — это матрица, содержащая 16000 строк и 2000 столбцов. Она может хранить 32 Мбит данных. Что касается самого модуля памяти, то почти всегда его разрядность составляет 64 бита. Глубина же легко высчитывается по следующей формуле: объем модуля умножается на 8 для перевода из байтов в биты, а затем делится на разрядность.

На маркировке без труда можно найти значения таймингов

Необходимо сказать несколько слов и о такой характеристике модулей памяти, как тайминги (задержки). В самом начале статьи мы говорили о том, что стандарт SDRAM предусматривает такой момент, что контроллер памяти всегда знает, сколько времени выполняется та или иная операция. Тайминги как раз и указывают время, требующееся на исполнение определенной команды. Это время измеряется в тактах шины памяти. Чем меньше это время, тем лучше. Самыми важными являются следующие задержки:

Конечно, это далеко не все существующие в модулях памяти задержки. Можно перечислить еще добрый десяток всевозможных таймингов, но лишь указанные выше параметры существенно влияют на производительность памяти. Кстати, в маркировке модулей памяти и вовсе указываются только четыре задержки. Например, при параметрах 11-13-13-31 тайминг CL равен 11, TRCD и TRP — 13, а TRAS — 31 такту.

Со временем потенциал SDRAM достигла своего потолка, и производители столкнулись с проблемой повышения быстродействия оперативной памяти. Так на свет появился стандарт DDR.1

Пришествие DDR

Разработка стандарта DDR (Double Data Rate) началась еще в 1996 году и закончилась официальной презентацией в июне 2000 года. С приходом DDR уходящую в прошлое память SDRAM стали называть попросту SDR. Чем же стандарт DDR отличается от SDR?

После того как все ресурсы SDR были исчерпаны, у производителей памяти было несколько путей решения проблемы повышения производительности. Можно было бы просто наращивать число чипов памяти, тем самым увеличивая разрядность всего модуля. Однако это отрицательно сказалось бы на стоимости таких решений — уж очень дорого обходилась эта затея. Поэтому в ассоциации производителей JEDEC пошли иным путем. Было решено вдвое увеличить шину внутри чипа, а передачу данных осуществлять также на вдвое повышенной частоте. Кроме этого, в DDR предусматривалась передача информации по обоим фронтам тактового сигнала, то есть два раза за такт. Отсюда и берет свое начало аббревиатура DDR — Double Data Rate.

Источник

Обзор и тестирование комплектов оперативной памяти DDR4 SO-DIMM с тактовой частотой 3200 МГц

Оглавление

Вступление

Оперативная память является одним из важнейших компонентов ПК и необходима для его полноценного функционирования. Она делится по стандартам, поколениям и форм-факторам. Мы не будем делать вводную теоретическую часть с историческими вставками, а сразу же перейдем к главному вопросу.

реклама

Оперативная память стандарта DDR4 SDRAM имеет полноразмерные 288-контаткные DIMM-модули и укороченные 260-контактные SO-DIMM-модули для портативных систем. В последнем случае физическая длина планок практически в два раза меньше, что позволяет им вписаться в ноутбуки, неттопы, баребоны и прочие ПК. Сегодня мы поговорим как раз о высокочастотной оперативной памяти класса DDR4 SO-DIMM, столь обделенной вниманием и оценками. Причина достаточно проста: систем для гибкой оценки очень мало, те же ноутбуки несут на своем борту в большинстве случаев процессоры с ограничением максимальной тактовой частоты согласно системной логике и чипсету. О возможностях гибкого тюнинга таймингов и говорить не приходится.

Хорошей новостью является то, что ситуация меняется, и новые платформы появляются с большими полномочиями для оптимизации. Но в качестве теста оперативной памяти DDR4 SO-DIMM, который состоялся благодаря нашему партнеру – компании Регард, я буду использовать слегка другой позабытый вариант.

Платформа-баребон ASRock Deskmini X300

Готовые полу-компьютеры и баребоны очень популярны в офисной среде благодаря простой унификации, небольшим размерам и практически готовой платформе: вставил процессор, жесткий диск, оперативную память и «погнали»! Иногда система полностью готова изначально, иногда требуются небольшие вариации недостающих комплектующих: кому-то важнее объем памяти, а кому центральный процессор помощнее. Каждый волен дорабатывать конфигурацию под свои задачи.

Компания ASRock постаралась решить многие вопросы в линейке готовых баребонов Deskmini, построенных на разных платформах и чипсетах. Мне хочется остановится на наиболее интересном варианте – ASRock Deskmini X300, использующим своим сердцем системную логику AMD X300 с поддержкой оверклокинга.

Главной изюминкой ASRock Deskmini X300 является материнская плата ASRock X300M-STX формата mini-STX размерами 147 х 140 мм, что, на одну минуточку, компактнее mini-ITX, но обладает потенциалом не хуже.

На борту процессорный сокет AMD AM4 с поддержкой процессоров с интегрированной графикой, включая Ryzen 4000G, два слота DDR4 SO-DIMM (max 64 Gb), подсистема питания «3+2» для CPU/SoC и многое другое. На этом я остановлюсь свой рассказ о ASRock Deskmini X300, чтобы не превращать его в обзор конкретной платформы.

Достаточно знать три вещи: у нас есть система с SO-DIMM, поддержка оверклокинга и гибкие параметры настройки (с оговорками, но об этом позже) и желание рассмотреть несколько комплектов популярной оперативной памяти DDR4 SO-DIMM.

реклама

Тестовый стенд

Основным центром тестового стенда является обычный магазинный экземпляр AMD Ryzen 5 4650G, приобретенный для личных проектов. Разгонный потенциал досконально мне его еще не известен, я прорабатываю этот вопрос, но уже отметился отличным контроллером памяти, способным стабильно работать в режиме «1:1» с тактовой частотой FCLK = 2200 МГц.

В качестве других компонентов выступают следующие комплектующие:

На момент тестирования материнская плата ASRock X300M-STX прошита последней версией BIOS P1.60, версия AGESA ComboBIOSv2 PI 1.2.0.1.

Стоит отметить, что несмотря на небольшие размеры ASRock Deskmini X300 мне захотелось подготовить более компактный корпус для отдельного проекта, который распечатал на 3D-принтере. Подвела покраска, но проект получился интересным, а главная его фишка – объем равный всего лишь 0,87 литра! Детальнее с проделанной работой и другими интересными решениями можно познакомиться тут.

Питание ASRock X300M-STX обеспечивается внешним источником, например, блоком питания ноутбука 12V. В комплекте с баребоном находится штатная модель 120 Вт, но у меня всегда под рукой «кирпич» побольше: LD120180 мощностью 200 Вт.

Технические характеристики

ADATA XPG Hunter DDR4 SO-DIMM

Оперативная память ADATA XPG Hunter DDR4 SO-DIMM поставляется в черных блистер-упаковках, выглядящих наиболее стильно среди прочих участников благодаря своему дизайну. Наклейки на боксах очень информативны, не выбиваются из антуража: имеется информация только об объеме каждого модуля, тактовая частота и логотип. Внутри находится модуль с дополнительной пластиковой накладкой.

реклама

В нашем распоряжении оказались два отдельных модуля ADATA XPG Hunter DDR4 SO-DIMM (AX4S30008G17G-SBHT) с тактовой частотой 3000 МГц общим объемом 16 Гбайт, но в распоряжении серии XPG Hunter имеются более высокопроизводительные решения 3200 МГц. Их заполучить не удалось.

Дизайн – сильная сторона ADATA XPG Hunter. Черная печатная плата форм-фактора SO-DIMM с черными вставками на чипах с красным текстом по бокам. Маленькая белая информационная наклейка содержит код модели, тайминги и напряжение.

ADATA XPG Hunter DDR4 SO-DIMM – единственные модули среди участников, кто обладает пусть простенькими, но радиаторами системы охлаждения: пластинами толщиной менее 1 мм.

реклама

Внешний вид модели на платформе ASRock Deskmini X300. Смотрится изящно, хотя в закрытом корпусе мы не видим модули ОЗУ, но покрасоваться можно.

В нашем случае оказались модули ADATA XPG Hunter, построенные на чипах Micron E-die (Z11B/19 nm), планки – одноранговые, ревизия платы – A2. Предварительно это твердые середнячки для достижения максимального результата.

реклама

Поддерживается только один профиль XMP:

Дата изготовления – конец марта 2021 года. Совсем новенькие.

Kingston HyperX Impact DDR4 SO-DIMM

Комплект Kingston HyperX Impact (HX432S20IB2K2/16) поставляется набором из двух моделей объемом 8 Гбайт в защитной прозрачной упаковке. Кит покупался для личных задач и коробка, увы, не сохранилась.

реклама

Модули выполнены на чёрном текстолите, темная наклейка с наименованием серии с одной стороны и белая с данными – с другой.

Kingston HyperX Impact (HX432S20IB2K2/16) является одним из немногих наборов на рынке, предлагающий объем 16 Гбайт с высокой тактовой частотой 3200 МГц и пониженными таймингами. Речь идет о CL20 против CL22 у аналогов.

Внешний вид модели на платформе ASRock Deskmini X300. Складывается впечатление, что часть наклеек нужна только, чтобы скрыть производителя чипов, потому в установленном виде они козыряют некрасивой стороной – белой.

реклама

Kingston HyperX Impact (HX432S20IB2K2/16) тоже построены на чипах Micron E-die (Z11B/19 nm), планки – одноранговые, ревизия платы – A2. По моему опыту перед нами аналогичный твёрдый середнячок.

Поддерживается два профиля XMP:

Поддержка двух профилей XMP-2933 и XMP-3200 позволяет платформе автоматически определять поддерживаемую частоту, например, для большинства ноутбуков будет активирована тактовая частота 2933 МГц, для более современных решений – 3200 МГц. В противном случае, как часто бывает, включается основной профиль JEDEC-2133 с частотой 2133 МГц, что никуда не годится.

Дата изготовления – сентябрь 2020 года. То самое время карантина.

реклама

Samsung OEM DDR4 SO-DIMM

Легендарные… фантастические… незабываемые… Тут должна быть картинка-мем с Тай Лунгом, а хотя почему бы и нет, вставлю, надеюсь редакторы пропустят.

О них слагают легенды, они известны каждому сборщику и пользователю интернета, модули оперативной памяти, которые одно время ставили на колени именитые отборные комплекты ОЗУ сторонних брендов: зеленые Самсунги!

Все в этом Мире меняется, только OEM-поставка планок Samsung вечна. В чем мне только они не присылали: в листе бумаги формата А4, в пленке, в конверте, даже просто «голые» модули из рук в руки передавали. В данном случае Samsung OEM DDR4 SO-DIMM завернуты в воздушно-пузырьковую плёнку.

Модули Samsung OEM DDR4 SO-DIMM выполнены на сочном зеленом текстолите цвета хаки. Стоит сразу сделать замечание, что при покупке данных планок в онлайн-магазине не нужно ориентироваться на фотографию информационной наклейки на микросхемах, в которой у производителя зашифрован тип памяти: например, в моем случае я видел на портале код M471A1K43BB1, где нам важны последние три символа и первая B – это B-die. Но приехали EB1 – E-die, потому что поставка и партия может отличаться от информации на сайте.

Однако огромный плюс Samsung OEM – все зашифровано в кодах на информационной наклейке: не требуются сторонние утилиты, вся родословная понятна по шифрам. Можно прямо в магазине не отходя от кассы делать отбор.

Внешний вид модели на платформе ASRock Deskmini X300: все по-боевому.

Samsung OEM DDR4 SO-DIMM (в нашем случае M471A1K43EB1) построены на чипах Samsung E-die (Kevlar/16 nm), планки – одноранговые, ревизия платы – A1. По ним информации очень мало, вот и проверим их в действии.

Профили XMP не поддерживаются. Ориентируемся на заготовленные профили стандарта JEDEC:

Дата изготовления – февраль 2021 года.

Team Elite DDR4 SO-DIMM

Оперативная память Team Elite DDR4 SO-DIMM упакована в наиболее красивый и защищенный формат. Производитель явно дорожит своим имиджем и уделяет внимание многим деталям.

В первую очередь комплект Team Elite SO-DIMM (TED48G3200C22-S01) выделяется черным дизайном текстолита и россыпью чипов на его поверхности. К этому мы еще вернемся.

Внешний вид – строг и притягателен. С одной стороны располагается небольшая наклейка с кодом модели, таймингами, серийным номером и объемом. Оба модуля мы получили по раздельности.

Внешний вид модели на платформе ASRock Deskmini X300: вписываются, будто влитые.

Team Elite SO-DIMM (TED48G3200C22-S01) построены на чипах Team T4D5128NT-32, к сожалению, точно определить производителя и поколение не удалось. Печатная плата ревизии B0, но самое нехарактерное – перед нами двухранговые модули объемом 8 Гбайт, что бывает очень редко: это планки (16 микросхем малой плотности по 512 МБ) с желанием набрать нужный объем чипами малой емкости. Однако это не всегда плохо, наоборот, иногда даже отлично, в чем мы скоро убедимся.

Профили XMP не поддерживаются. Ориентируемся на заготовленные профили стандарта JEDEC:

Дата изготовления – январь 2021 года.

Тестирование

Материнская плата ASRock X300M-STX является не лучшим выбором для исследования потенциала разгона оперативной памяти, но не отменяет ее других заслуг. Выявились два недостатка: во-первых, максимальное напряжение DRAM зафиксировано на отметке 1.35 В, ограничивая потенциал ОЗУ при достижении определенного порога частоты, что вызвано ограничением платформы и чипсета, в частности. Во-вторых, при преодолении рубежа 4000 МГц режим «1:1» отключается, частота FCLK фиксируется при 2000 МГц, а UCLK работает на вдвое меньшей частоте DRAM.

Исходя из этого, решено проводить тестирование комплектов оперативной памяти DDR4 SO-DIMM в несколько этапов со следующими условиями:

На тестирование отводилось недостаточно времени, поэтому детальное изучение в некоторых случаях первичных и во всех других случаях – вторичных таймингов – не проводилось.

Отдельно необходимо сказать, что по некоторым причинам тестирование комплекта памяти ADATA XPG Hunter проводилось в одноканальном режиме, позволяя одновременно оценить одно- и двухканальный режим комплектов.

DRAM DDR4 SO-DIMM, МГц

Максимальная частота
Больше – лучше

Чипы Micron E-die показали себя с лучшей стороны и в обоих случаях покорили 4133 МГц при напряжении 1.35 В, сохраняя стабильность в тесте TM5 и бенчмарках.

Микросхемы Samsung E-die (Kevlar/16 nm) надежд не оправдали или имеется недостаточная совместимость, показав отметку лишь 3733 МГц, не попадая в раздел тестирования с частотой 4000 МГц.

Двухранговые модули на чипах Team T4D5128NT-32 удивили, ведь не зря для платформы AMD рекомендуются именно Dual Rank, но обычно планки малого объема почти не найти, а оснащаются ими модули 16 Гбайт и выше. Это касается не только разгона, но и производительности в тестах. Причина кроется в обработке данных контроллером и наглядна продемонстрирована в видеоролике на канале Linus Tech Tips (тайм-код 9:27).

Переходим к основным тестам в AIDA64 6.33 Cache & Memory Benchmark: с детальными результатами вы можете познакомиться в конце материала.

AIDA64 6.33 Cache & Memory Benchmark

Memory read, Мбайт/с
Больше – лучше

AIDA64 6.33 Cache & Memory Benchmark

Memory write, Мбайт/с
Больше – лучше

AIDA64 6.33 Cache & Memory Benchmark

Memory copy, Мбайт/с
Больше – лучше

AIDA64 6.33 Cache & Memory Benchmark

Memory latency, нс
Меньше – лучше

Дополним тестирование тестом быстродействия WinRAR и моим основным тестовым участком в игре Ведьмак 3: Дикая Охота.

Тестирование осуществлялось в одно- и двухканальном режимах с одноранговыми и двухранговыми модулями Kingston HyperX Impact и Team Elite.

Общая скорость, КБ/с
Больше – лучше

The Witcher 3: Wild Hunt – неустаревающая классика.

The Witcher 3: Wild Hunt

Производительность, кадры в секунду
Больше – лучше

Заключение

Процессоры со встроенной графикой (APU) зависимы от контроллера памяти и самой оперативной памяти, каждый основной и вторичный параметр может оказать важнейшее влияние на производительность. По процессорам AMD APU выпущено множество трудов и работ; касательно нашего материала мы не открыли ничего нового, лишь повторим результаты коллег. Целью материала был обзор компактных высокочастотных модулей DDR4 формата SO-DIMM, которым редко уделяется внимание других изданий, и тест актуальных.

Многие со мной согласятся, что данному материалу не хватает еще двух очень интересных и быстрых комплектов – Crucial Ballistix BL2K8G32C16S4B и Goodram IRDM IR-3200S464L16/16G, которые работают на тактовой частоте 3200 МГц, но среди прочих отличаются низкими таймингами «16-18-18-36» при напряжении 1.35 В. К сожалению, на момент тестирования заполучить их не удалось.

Остается сделать несколько очевидных и неочевидных выводов, которые помогут определиться с выбором оперативной памяти стандарта DDR4 и форм-фактора SO-DIMM в частности. Во-первых, старайтесь ориентироваться на проверенные комплекты и модули: рынок наводнили производители третьего эшелона и никто не гарантирует полную совместимость. Во-вторых, стремитесь активировать двухканальный режим в своем стационарном ПК, ноутбуке или баребоне. Делается это очень просто – установкой двух или четырех модулей DRAM. В-третьих, двухранговые планки агрессивнее, чем мне казалось ранее.

Перед данной статьей я познакомился с некоторыми другими материалами, где преимущество Dual Rank было 3-7%, иногда на уровне погрешности, но мои тесты показали 5-10%, особенно в тесте WinRAR получаем 12-18%, что на «ровном» месте считается приятным бесплатным бонусом. И, конечно, в-четвертых, важна высокая тактовая частота и низкие тайминги, поэтому старайтесь искать именно такие комплекты. А теперь несколько слов о каждом наборе.

ADATA XPG Hunter DDR4 SO-DIMM – это симпатичные и интересные модули с радиаторами, которые построены на микросхемах Micron E-die с хорошим потенциалом.

Комплект Kingston HyperX Impact DDR4 SO-DIMM один из немногих, который широко доступен и поставляется сразу набором по два модуля, не заставляя волноваться, что планки могут оказаться из разных партий и на разных микросхемах. К тому же обладает сниженными таймингами.

Никогда не подводившие и совместимые на 99.9% с любой платформой – зеленые Samsung OEM DDR4 SO-DIMM. Если затрудняетесь с выбором, то планки Samsung являются беспроигрышным вариантом.

Team Elite DDR4 SO-DIMM – малоизвестные и едва заметные в широком ассортименте магазина, стоящие за спинами более именитых брендов, но единственные участники обзора с нехарактерной формулой по набору чипов (16 х 512 МБ) и двухранговой структурой, имеющие за счет этого небольшой прирост производительности. Компания Team Group умеет удивлять с учетом того, что они первыми выпустили модули нового стандарта DDR5.

За кадром

ADATA XPG Hunter DDR4 SO-DIMM (AX4S30008G17G-SBHT) 3000 МГц.

Источник