tvs диод что это

Как выбрать TVS-диод для защиты электрической схемы?

Главная страница » Как выбрать TVS-диод для защиты электрической схемы?

Электрические системы промышленного назначения нередко требуют защиты входных цепей. Здесь важный момент — как выбрать TVS-диод, является определяющим. Именно упомянутый прибор, как правило, видится оптимальным для защиты входов электрической схемы от значительных по силе переходных импульсов. Таковые могут наводиться расположенным поблизости оборудованием, ударами молнии, скачками электрического напряжения.

TVS-диоды на подавление переходных электрических процессов

Разработаны и применяются большое число компонентов, как пассивных, так и активных, способных обеспечить защиту от импульсов (скачков) напряжения на входе электрических схем. Защита, в частности, предполагает:

Здесь, помимо TVS-диодов, шунтирование тока реализуется за счёт использования приборов:

Однако каждый прибор списка обладает определёнными недостатками. Конечно же, TVS-диоды не идеальное решением. Но этот тип приборов, как правило, является наиболее эффективным вариантом защиты от импульсных токов величиной 2 — 250 А.

Газоразрядные трубки, металлооксидные варисторы и тиристоры обычно предпочтительны для более высоких уровней рассеивания перенапряжения. В свою очередь RC-фильтры видятся оптимальными для более низких значений рассеивания перенапряжения.

Между тем, для электриков и электронщиков, малознакомых с защитными диодами и техническими характеристиками этих приборов достаточно сложно определиться с выбором. Поэтому ниже рассматривается тема: как выбрать TVS-диод для защиты от перенапряжения, создавая тем самым более надежную электрическую схему.

TVS-диод: предназначение прибора + технические характеристики

Фактически цель TVS-диода, устанавливаемого на входе электрической схемы — минимум влияния на процесс в моменты номинальной работы. Лишь в условиях переходного перенапряжения, прибор немедленно проводит и шунтирует ток на землю, поддерживая тем самым напряжение схемы на безопасно низком уровне.

Схема на подключение, показывающая, как функционирует защита, определяющая в какой-то степени, как выбрать TVS-диод: 1 — источник входа/выхода; 2 — направление хода импульсного тока; 3 — защитный TVS-диод; 4 — интегральная схема, защищённая от перенапряжения

По сути, TVS-диоды обладают вовсе не идеальными характеристиками, что необходимо учитывать, чтобы обеспечить надёжную защиту и минимальное воздействие на электрическую схему. Отсутствие фактора идеальности в какой-то степени сопоставимо с диодами ESD. Однако, поскольку диоды защиты от импульсных перенапряжений более важны для надежности электрической схемы, эти приборы требуют дополнительного внимания при выборе.

Как выбрать TVS-диод для электрической схемы?

Знакомство с техническими данными на TVS-диоды сопровождается несколькими важными характеристиками, которые способны ввести в заблуждение электрика (электронщика) с малым опытом. Отметим эти ключевые параметры с последующим более подробным рассмотрением, дабы определить степень важности конструкции защиты.

Параметр #1: Приложенное напряжение (V_RWM)

Приложенное напряжение, при котором утечка тока TVS-диода минимальна. Обычно этот параметр выражается в наноамперах.

Обратное рабочее максимальное напряжение (V_RWM) определяется как напряжение, приложенное к TVS-диоду с гарантией минимальной утечки тока в результате нагрузки рабочего процесса или перегрева. Определение «утечки тока» зависит от производителя прибора, но обычно значение здесь составляет Параметр #2: Напряжение пробоя (V_BR)

Речь идёт о величине напряжения, при которой TVS-диод начинает проводить ток. Эта величина обычно определяема при утечке 1 мА. Параметром V_BR определяется точка перегиба диодной кривой, где утечка увеличивается экспоненциально, что обычно характеризуется точкой «включения» диода.

В отличие от характеристики V_RWM, характеристика V_BR указывает значение постоянного тока, которое может значительно смещаться в зависимости от рабочего процесса и температуры. Соответственно характеристика определяется минимальным и максимальным значением.

Распространенной ошибкой проектировщиков является уверенность в том, что номинальные системные напряжения ниже V_BR обеспечат низкую утечку тока. Это не так, поскольку параметр V_BR может сдвигаться и даёт относительно высокую определенную утечку при токе 1 мА.

Соответственно, следует убедиться, что номинальное напряжение остаётся ниже значения V_RWM, но не V_BR, чтобы тем самым обеспечить очень низкую утечку для разрабатываемой электрической (электронной) схемы.

Параметр V_BR всегда выше V_RWM, поэтому, когда TVS-диод имеет правильно поставленный V_RWM, характеристика V_BR не вызовет значительной утечки тока. В условиях скачка напряжения V_BR — это напряжение, при котором TVS-диод начнет фиксировать уровень, поэтому более низкое значение V_BR даст меньшее ограничение и лучшую защиту при сравнении двух TVS-диодов с одинаковой характеристикой R_DYN.

Параметр #3: Максимальный ток (I_PP)

Максимальный ток (с учётом определённой формы волны), который TVS-диод способен выдержать до момента выхода из строя. Пиковый импульсный ток (I_PP) определяется как максимальный импульсный ток, шунтируемый до момента перегрева и выхода прибора из строя.

Следует помнить — скачок напряжения характеризуется максимальным током I_PP и является критическим значением. Этим значением определяется, способен ли конкретный TVS-диод пропустить нагрузку без каких-либо повреждений. Необходимо удостовериться при выборе, что значение I_PP прибора больше, чем пропускаемый пиковый импульсный ток.

TVS-диоды повреждаются избыточным током, но не избыточным напряжением. Соответственно, при выборе TVS-диода указанный параметр I_PP (величина импульсного тока) определяет требования. При выборе TVS-диода обязателен учёт снижения номинальных характеристик I_PP по перегреву. У многих TVS-диодов эти характеристики уменьшаются до 80% от номинального значения при повышении нагрева до 105 — 125°C.

Все спецификации на выбираемые TVS-диоды должны включать график, показывающий пиковую рассеиваемую мощность в зависимости от температуры. Этот график необходимо использовать для расчета значения I_PP.

Чем короче импульс эталонной формы волны, тем выше I_PP. Следовательно, важно убедиться, что значение I_PP относится к той же форме волны, что и условия тестирования. Если таблица данных не определяет параметр относительно конкретной формы волны, обычно имеется таблица данных кривой, которая показывает пиковую мощность импульса (рассчитанную как I_PP × V_CLAMP) по длине импульса.

Это уже позволяет приблизительно определить I_PP для заданной длины импульса. Однако методика в данном варианте отличается неточными показателями. Рекомендуемая практика — использовать TVS-диод, где параметр I_PP привязан к точной форме волны.

Параметр #4: Динамическое сопротивление (R_DYN) и напряжение фиксации (V_CLAMP)

Эти два параметра рассматриваются совместно, потому что R_DYN является внутренним свойством диода, а V_CLAMP важной спецификацией системы. Все TVS-диоды имеют некоторое внутреннее сопротивление, определяемое как R_DYN. В момент протекания тока через прибор, напряжение, измеренное на выводах диода, определяется как:

Характеристика V_CLAMP определяет напряжение, которому система будет подвергаться во время скачка напряжения. Чем ниже V_CLAMP, тем меньше вероятность того, что защищённая система откажет по причине электрического перенапряжения. Если параметр V_CLAMP нарушает абсолютное максимальное напряжение системы входных цепей, сбои становятся возможны, даже если TVS-диод шунтирует ток.

Схема показывает работу защиты с учётом динамического сопротивления и напряжения фиксации: 1 — источник входа/выхода; 2 — импульсный ток; 3 — определяющие критерии сопротивления и напряжения; 4 — защищаемая сторона

Эффективная конструкция защиты — это выбор TVS-диода, обладающего достаточно низким значением V_CLAMP. Такой выбор позволяет обойтись без компонентов, устойчивых к высокому напряжению, но которые являются дорогостоящими и обладают худшими характеристиками. Поскольку значение V_CLAMP в значительной степени определяется R_DYN, выбор диода, обладающего более низким значением R_DYN, становится очевидным.

Характеристика V_CLAMP всегда будет указываться в техническом описании диода TVS относительно I_SURGE и эталонной формы волны, аналогично I_PP. Следует проявлять осторожность при сопоставлении условий тестирования, указанных в листе данных, с рабочими условиями.

Это обусловлено тем, что значение V_CLAMP будет значительно отличаться в зависимости от условий. К тому же характеристика R_DYN не всегда указывается в технических данных TVS-диодов. Если это значение не указано, допустимо приблизительно рассчитать параметр посредством формулы:

После вычисления R_DYN можно рассчитать V_CLAMP для любого испытательного тока, при условии, что этот ток относится к той же форме волны. Если R_DYN или V_CLAMP необходимы по отношению к другой форме сигнала, способа легко вычислить эти значения не существует. Тогда выход из положения — поиски TVS-диода, обладающего нужными величинами для данной формы сигнала.

Параметр #5: Полярность приборов

Существуют TVS-диоды однонаправленного и двунаправленного действия. Эта разница проявляется на кривых ток / напряжение приборов.

Как показывают кривые ток / напряжение, однонаправленные TVS-диоды имеют отрицательное напряжение пробоя чуть ниже 0 вольт. Двунаправленные TVS-диоды имеют симметричное напряжение пробоя между положительным и отрицательным направлениями.

Этот момент означает, что если сигнал всегда нормально-положительный, допускается использовать однонаправленный TVS-диод. Однако когда сигнал способен измениться на нормально-отрицательный, следует использовать двунаправленный TVS-диод.

Компромисс здесь заключается в том, что отрицательная характеристика V_CLAMP однонаправленного TVS-диода намного лучше, чем V_CLAMP двунаправленного TVS-диода по причине более низкого значения V_BR. Требуется обращать внимание на рабочий диапазон электрической схемы для правильного выбора полярности TVS-диода.

Параметр #6: Ток утечки (I_LEAK) и паразитная ёмкость

TVS-диоды, как и прочие аналоговые компоненты, обладают током утечки (I_LEAK) и паразитной ёмкостью. Идеальный TVS-диод не повлияет на схему с параметром ниже V_RWM. Однако ток утечки и ёмкость реальных TVS-диодов могут иметь достаточно высокие показатели и, соответственно, оказывать влияние на схему, если эти значения не учитывать. В частности, для TVS-диодов с более низким напряжением, токи утечки могут достигать значения 1 мА, а ёмкость превышать 1000 пФ.

Для работы некоторых схем это несущественно, но для других достаточно критично. Например, в схемах с батарейным питанием постоянная утечка тока 1 мА сопровождается значительным потреблением энергии. В свою очередь на защите точных входов высокая ёмкость снижает отношение сигнал / шум.

Необходимо убедиться, что эти паразитные элементы учтены и приемлемы, когда выполняется проектирование схемы защиты. Понимание отмеченных спецификаций позволяет разработчику быстро выбрать подходящий TVS-диод для схемы с гарантией, как надёжной работы, так и минимального воздействия на функциональность.

Заключение

Создание надежного продукта — одна из самых важных и сложных задач, которую предстоит решить разработчику схем. Самая важная часть — обеспечение защиты от кратковременных скачков напряжения, способных разрушить оборудование, привести к отказу. Защита от перенапряжения, однако, возможна и работает эффективно, если внимательно изучить спецификации TVS-диодов и применить на практике.

При помощи информации: TI

КРАТКИЙ БРИФИНГ

Источник

Подразделение защиты: TVS-диоды от Bourns

Поглощение и рассеивание энергии импульса помехи – основное назначение TVS-диодов, изделий, повсеместно применяемых в современной электронике. Компания Bourns предлагает широкую линейку TVS-диодов, – от классических до сверхмощных, – включая диоды и сборки в миниатюрных корпусах, адаптированные под высокоскоростные цифровые линии связи.

Минимизация энергопотребления и развитие коммуникационных возможностей электронных устройств остро поднимают проблематику уязвимости компонентов к воздействию наведенных импульсов помех, перенапряжений и электростатических разрядов. Импульсные микро- и наносекундные помехи, помимо всего прочего, имеют весьма неприятное свойство проникать через паразитную емкость дросселей, фильтров, трансформаторов в чувствительные узлы электронных схем и вызывать необратимые повреждения. Разработчики 70-х и 80-х годов могут вспомнить множество историй, когда на испытательных стендах или промышленных объектах велась настоящая борьба за живучесть электроники, которая, увы, не всегда заканчивалась положительно.

Это предопределило появление новых классов устройств – ограничителей напряжения, способных за короткий промежуток времени поглотить значительную энергию импульса помехи, ограничив напряжение на электронной схеме до безопасных значений.

TVS-диоды (Transient Voltage Suppressor) – полупроводниковые устройства, основное назначение которых – ограничивать напряжение на защищаемом участке электронной схемы до безопасных значений, при этом поглощая и рассеивая энергию импульса помехи. По принципу действия TVS-диоды похожи на традиционные стабилитроны, работают на обратной ветви вольтамперной характеристики, но предназначены для значительных импульсных нагрузок. Что, впрочем, не мешает в некоторых приложениях использовать TVS-диоды в качестве мощных стабилитронов, если не нужны малый температурный дрейф или малый разброс напряжений стабилизации. Принцип применения TVS-диода в качестве защитного элемента заключается в том, что он закрыт до момента воздействия помехи, и не участвует в работе схемы (емкостная составляющая не рассматривается, об этом – ниже). Другими словами, через него не протекают рабочие токи, температура p-n-перехода защитного диода равна температуре окружающей среды. Импульс перенапряжения вызывает лавинный пробой в структуре TVS-диода, через него протекает ток помехи, обусловленный эквивалентным сопротивлением источника помехи, при этом напряжение на диоде ограничивается в соответствие с его внутренней структурой. В результате защищаемый участок схемы не подвергается воздействию высокого напряжения, энергия помехи рассеивается. На рисунке 1 показан пример воздействия импульсной помехи на цепь, защищаемую TVS-диодом.

Рис. 1. Иллюстрация работы TVS-диода в цепи

Кроме нагрузки и ограничителя напряжения, в схеме показано также последовательное сопротивление (Rпосл.), которое почти всегда присутствует в реальных устройствах в виде предохранителя, контактного сопротивления разъема, внутриблочных соединений или специально установленного разработчиком резистора. Это сопротивление, наряду с эквивалентным сопротивлением источника помехи (в случае, когда этот параметр можно оценить, например в модели Human Body Model (рисунок 2), имитирующей заряд тела человека для электростатических разрядов), позволяет определить амплитуду тока через защитный диод и тем самым вычислить мощность, на которую следует выбирать элементы защиты.

Рис. 2. Human Body Model

Главная особенность TVS-диодов – экстремально высокое быстродействие[1], – фактически предопределила их области применения: защиту чувствительных к перенапряжению элементов схемы, где важно не допустить импульса помехи длительностью менее десятков наносекунд, при этом энергия помехи составляет сотни Вт. Это, в первую очередь, защита коммуникационных портов от статических разрядов, а также вторая или третья ступень комплексных схем защиты, как показано на рисунке 3.

Рис. 3. Трехступенчатая схема защиты чувствительного элемента

В случае, когда требуется защита от электростатических разрядов, TVS-диоды подключаются без ограничительных последовательных резисторов, что важно для функционирования некоторых устройств, например, портов USB.

В случае проектирования схем защиты от импульсных помех, вызванных аварийными ситуациями, грозовыми разрядами, переходными процессами в линиях связи и так далее, приходится прибегать к дополнительным мерам, поскольку неопределенность с эквивалентным сопротивлением источника помехи значительно более высокая, чем в случае с электростатическим разрядом или мощность источника помехи значительно превосходит допустимую мощность защитных элементов. Например, при известной максимально допустимой амплитуде импульса перенапряжения устанавливаются последовательные резисторы, которые ограничивают ток через TVS-диод. Трехступенчатая схема защиты, показанная на рисунке 3, сочетает в себе газоразрядник, варистор и TVS-диод, что позволяет эффективно распределить энергию импульса помехи между защитными элементами. Наиболее короткий фронт импульса (1 нс) вызывает срабатывание TVS-диода, далее срабатывает варистор (25…100 нс), который, как правило, имеет более высокую рассеиваемую мощность, и основная энергия поглощается в газовом разряднике (скорость срабатывания 0,1…1 мкс).

Последовательные резисторы Rmov и Rtvs обеспечивают режим работы защитных элементов и последовательность их срабатывания. TVS-диод, являющийся третьей, самой быстродействующей ступенью, осуществляет «чистовое» ограничение импульса помехи. Конструкторы данных приборов стремились подчеркнуть данный параметр наряду со стремлением увеличить его пиковую нагрузочную способность. В результате из-за значительной площади кристалла электрическая емкость TVS-диода на порядок выше емкости типового стабилитрона.

С точки зрения ограничения импульсов данная особенность идет только на пользу – фактически, параллельно с быстродействующим полупроводником существует виртуальный высококачественный конденсатор, который дополнительно интегрирует короткие импульсные помехи. Это хорошо, когда речь идет о защите низкоскоростных линий связи или цепей питания. Но в защите нуждаются также и скоростные линии связи, для которых вносимая TVS-диодами емкость становится критичной.

Для этого производители предложили серии ограничителей напряжения с пониженной емкостью, но они, как правило, имеют небольшие значения пиковой рассеиваемой мощности. Если требуется защитить высокоскоростную линию более мощным супрессором, то применяются диодные и диодно-мостовые схемы, которые позволяют минимизировать влияние высокой собственной емкости защитного элемента на линию связи. Выбор диодов для мостовой схемы – отдельная задача для разработчика, поскольку, с одной стороны, диоды должны выдерживать большие импульсные токи и не уступать в быстродействии супрессору, с другой – иметь малую емкость перехода и малые значения токов утечки. Чаще всего в таких схемах применяются диоды Шоттки, что позволяет получить нужные характеристики, но требует дополнительного места на печатной плате. У некоторых производителей подобные решения оформлены в виде диодно-супрессорных сборок, специально предназначенных для защиты высокоскоростных цепей. Компания Bourns, например, предлагает сборки серии CDSOT236 для защиты портов Ethernet или HDMI, сборки серии CDDFN для USB3.0 и так далее.

Резюмируя вышесказанное, можно сформулировать алгоритм подбора TVS-диода для конкретного приложения.

Выбор номинала рабочего напряжения супрессора по действующему напряжению защищаемой цепи. В нормальном режиме работы супрессор закрыт, через него протекает только нормированный ток утечки, который не оказывает влияния на работу электронной схемы.

Определение пикового аварийного тока или пиковой аварийной мощности супрессора. Максимальный ток рассчитывается из анализа максимального напряжения источника импульсного воздействия и эквивалентного последовательного сопротивления. Если речь идет об электростатических разрядах, то используется Human Body Model или другая модель заряженного физического тела. Если расчет ведется относительно импульсов перенапряжения, то используются или данные об источнике помехи, или, если их нет – характеристики предыдущей ступени защиты, например, как на рисунке 3.

Определение времени воздействия аварийного тока. Пиковая мощность TVS-диодов напрямую зависит от времени воздействия импульса. Как правило, для получения оценки импульса воздействия достаточно руководствоваться стандартами по ЭМС [2].

Определение максимального напряжения ограничения TVS-диода. Ток помехи, амплитуда которого может достигать десятков, сотен, а иногда и тысяч ампер, вызывает всплеск на защитном диоде, который может в разы превышать его номинальное рабочее напряжение. Максимальное напряжение ограничения должно быть безопасным для защищаемой схемы.

Определение максимальной емкости схемы защиты. Подробная методика расчета схем защиты на основе TVS приведена в [5].

Компания Bourns, как один из ведущих мировых производителей компонентов защиты цепей, предлагает широкий выбор TVS-диодов, позволяющих строить схемы защиты, удовлетворяющие требования таких стандартов как ГОСТ Р 51317.4.2-2010 (МЭК 61000-4-2:2008), ГОСТ Р 51317.4.4-2007 (МЭК 61000-4-4:2004), ГОСТ Р 51317.4.5-99 (МЭК 61000-4-5-95).

Это и диоды в корпусах SMA, SMB, SMC, которые де-факто являются индустриальным стандартом, и диоды и сборки, предназначенные для экономии площади на печатной плате, и интегрированные решения для различных применений в промышленной и бытовой электронной технике. На рисунке 4 приведена удобная диаграмма для первоначального выбора супрессора от Bourns.

Рис. 4. Диаграмма для выбора супрессора производства Bourns

Серии SMAJ, SMBJ, SMCJ

Рис. 5. Внешний вид корпуса TVS-диодов серий SMA, SMB, SMC

Дискретные защитные диоды SMAJ, SMBJ и SMCJ в корпусах для поверхностного монтажа появились одними из первых, нашли широкое применение в различных изделиях и по праву считаются промышленным стандартом. Их можно встретить на входах/выходах источников питания, в схемах защиты телекоммуникационного оборудования, в барьерах искрозащиты, в блоках грозозащиты и так далее. Внешний вид корпусов TVS-диодов серий SMAJ, SMBJ и SMCJ показан на рисунке 5.

Диоды серии SMAJ при компактных размерах позволяют рассеивать 400 Вт пиковой мощности в течение 1 миллисекунды, рассчитаны на 1 Вт статической нагрузки, соответствуют требованиям стандартов ЭМС [Р МЭК 4-2, 4-4, 4-5].

Серия SMBJ – более мощная, чем SMAJ, TVS-диоды этой серии позволяет рассеивать 600 Вт пиковой мощности в течение 1 миллисекунды, и до 5 Вт – в статическом режиме.

Серия SMCJ – еще более мощная. Она позволяет рассеивать 1500 Вт пиковой мощности в течение 1 миллисекунды, и до 5 Вт – в статическом режиме.

Усредненные характеристики этих серий приведены в таблице 1.

Таблица 1. Характеристики TVS-диодов серий SMAJ, SMBJ, SMCJ

Главное преимущество серий SMAJ, SMBJ и SMCJ – достаточно высокая пиковая мощность, позволяющая эффективно применять их для защиты от импульсов помех с высокими значениями энергии. Кроме того, значительная мощность рассеивания в статическом режиме позволяет использовать один и тот же TVS-диод еще и для защиты от «медленных» перегрузок – неисправностей источников питания, аварийных изменений напряжения питающей сети, а также применять плавкие и полимерные предохранители, время срабатывания которых может измеряться секундами. Неприятная особенность таких супрессоров – высокая электрическая емкость. Для низковольтных диодов ее значение может достигать 3000 пФ, для высоковольтных – 20 пФ. Двунаправленные версии имеют емкость примерно на 40% меньше однонаправленных аналогов.

Серия CDSOD323

С развитием мобильной и портативной техники производители начали борьбу как за снижение паразитной емкости, так и за степень интеграции полупроводниковых схем. Компания Bourns выпустила линейку TVS-диодов CDSOD323, упакованную в корпуса формата SOD-323. Это позволило значительно сэкономить место на печатной плате. Несмотря на скромные размеры, серия обладает значительной пиковой импульсной мощностью в 350 Вт (некоторые модели – до 500 Вт), и соответствует стандартам ЭМС (Р МЭК 4-2, 4-4, 4-5). Правда, по сравнению с сериями SMA, SMB и SMBJ, мощность которых нормирована на время в 1 мс, импульсная мощность CDSOD323 приведена ко времени действия стандартного импульса 8/20 мкс [6, 7].

Рис. 6. Структурная схема и внешний вид CDSOD323-TxxLC и CDSOD323-TxxC

Часть номенклатуры CDSOD323 обладает малой емкостью и специально адаптирована для линий передачи данных, например, CDSOD323-TxxLC. Типовая емкость диодов составляет примерно 1 пФ, что позволяет применять CDSOD323-TxxLC для защиты цепей HDMI 1.4, DVI, USB 3.0, микросхем памяти и портов подключения SIM-карт. Серия рассчитана на рабочие напряжения 5…24 В и воздействие статического разряда до 30 кВ. Также, с точки зрения емкости, интересна серия CDSOD323-TxxC. Этот параметр у нее составляет порядка 3 пФ, а рабочее напряжение – 3…24 В. Рассчитана данная серия на воздействие статического разряда до 30 кВ. Эти сборки с успехом применяются для защиты портов ввода-вывода, USB, мобильных устройств и тому подобного. Внутренняя структурная схема и внешний вид ограничителей напряжения серий CDSOD323-TxxLC и CDSOD323-TxxC показаны на рисунке 6, а обобщенные характеристики приведены в таблице 2.

Таблица 2. Характеристики серий CDSOD323-TxxLC и CDSOD323-TxxC

В линейке представлены также специализированные диоды CDSOD323-TxxC-DSL. Это серия двунаправленных диодов, состоящая всего из двух позиций – на 12 и 24 В – предназначенных для защиты линий VDSL, модемов, роутеров. Серия характеризуется малой емкостью (3 пФ) и очень малым током утечки (1 нА).

Серия CDSOT23

Дальнейшая миниатюризация современной аппаратуры явилась причиной размещения защитных диодов в другом популярном типе корпуса – SOT-23. Согласно стандарту JEDEC, данный корпус может иметь модификации на 3, 5, 6 и 8 выводов, что позволяет использовать его для широкого круга задач. Компания Bourns выпускает линейку сборок TVS-диодов в корпусах SOT-23 различной конфигурации и различного функционального назначения. Например, сборка CDSOT23-SM712 имеет всего одну модификацию, но позволяет строить схемы защиты на напряжение 7 или 12 В за счет использования несимметричных супрессоров в своей структуре.

Схема и внешний вид сборки показаны на рисунке 7.

Рис. 7. Схема и внешний вид CDSOT23-SM712

Характеристики CDSOT23-SM712 приведены в таблице 3.

Таблица 3. Характеристики TVS-диодов CDSOT23-SM712

Сборка CDSOT23-SRV05-4 предназначена для защиты четырех линий ввода-вывода или цифрового интерфейса. Содержит в себе диодную схему и один супрессор, который ограничивает выбросы напряжения. За счет низкой емкости (3,5 пФ) может применяться для защиты цепей USB 2.0, Ethernet 10/100/100 Base T, DVI.

Схема и внешний вид CDSOT23-SRV05-4 приведены на рисунке 8.

Рис. 8. Схема и внешний вид CDSOT23-SRV05-4

Характеристики CDSOT23-SRV05-4 приведены в таблице 4.

Таблица 4. Характеристики TVS-диодов CDSOT23-SRV05-4

В характеристиках сборки CDSOT23-SRV05-4 производитель указывает параметры, относящиеся к защите от наносекундных импульсных помех (НИП), что может быть полезным при проектировании устройств в соответствии со стандартами по электромагнитной совместимости.

Сборка CDSOT236-0504C имеет внутреннюю структуру, аналогичную CDSOT23-SRV05-4, и также предназначена для защиты высокоскоростных портов в соответствии с требованиями ЕСР (согласно IEC 61000-4-2), НИП (согласно IEC 61000-4-4) и МИП (согласно IEC 61000-4-5). Главная особенность данного изделия – низкие значения параллельной и межканальной емкостей. Характеристики CDSOT236-0504C приведены в таблице 5.

Таблица 5. Характеристики CDSOT236-0504C

Серия PTVS

TVS-диоды из серии PTVS (Power TVS) – это сильноточные двунаправленные ограничители напряжения, предназначенные для установки на шины питания постоянного или переменного токов большой мощности. Диоды PTVS ранжируются по мощности и имеют корпуса как для установки в отверстия, так и для поверхностного монтажа, при этом выпускаются всего на два рабочих напряжения: 58 и 76 В. Характеристики диодов серии PTVS приведены в обзорной таблице 6.

Таблица 6. Характеристики PTVS

Линейка PTVS соответствует стандарту Р МЭК 4-5 в части требований по устойчивости к воздействию импульса тока 8/20 мкс.

Заключение

Сегодня сложно представить себе серьезное электронное устройство, коммуникационные порты и система питания которого не защищены ограничителями напряжения. TVS-диоды за последние два десятилетия стали обязательными элементами бытовой, промышленной, медицинской, измерительной и прочей аппаратуры.

Компания Bourns предлагает широкую линейку TVS-диодов, – от классических до сверхмощных, – включая диоды и сборки в миниатюрных корпусах, адаптированные под высокоскоростные цифровые линии связи. Продукция компании полностью соответствует стандартам ЭМС. Наиболее популярные артикулы TVS-диодов производства Bourns поддерживаются на складах официального дистрибьютора – компании КОМПЭЛ. С получением статуса официального партнера складская программа КОМПЭЛ по всем продуктам Bourns будет расширяться, что сделает технологические достижения Bourns доступнее для отечественных разработчиков.

Источник